[发明专利]硅的冶金化学精制方法无效
| 申请号： | 201010550200.6 | 申请日： | 2010-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN102464320A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 赵钧永 | 申请（专利权）人： | 赵钧永 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 200336 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及硅的精制和除杂方法，即从较低纯度的硅获得较高纯度、特别是低硼、低磷杂质含量的、满足半导体和电子元器件所需的纯度较高的硅原料的方法。现有的高纯硅制造方法，存在着能耗大、生成环境危害因子、成本高、工艺复杂、投资大等问题，本发明采用将硅材料和特定除杂剂制成的含硅熔体的方法，经精炼纯化，并使硅结晶分离，得到纯化的硅，经进一步除去除杂剂成分，获得可应用于半导体和电子元器件领域的高纯硅或硅晶体。适用于从各种纯度的硅或含硅材料制取高纯硅或硅晶体。 | ||
| 搜索关键词： | 冶金 化学 精制 方法 | ||
【主权项】：
精制硅的方法，包含以下步骤：1)将硅和除杂剂制成混合熔体；其中，所述的除杂剂为选自分别包含以下元素的一组单质或化合物中的至少一种或一种以上的组合物：锶、钙、钡、镧、铈、钕、钐、铕、钆、铽、钇、镝、钪、铍、钛、锆、钒、锰、铌、铬、铁、镉、铟、钴、镍；2)任选精炼或纯化该混合熔体；3)使硅结晶并分离出来；
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于赵钧永，未经赵钧永许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010550200.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种高性能钛合金防爆工具及其制备方法
- 下一篇：一种多用开酒器
