[发明专利]硅的冶金化学精制方法

权利要求书

1.精制硅的方法，包含以下步骤：

1)将硅和除杂剂制成混合熔体；

其中，所述的除杂剂为选自分别包含以下元素的一组单质或化合物中的至少一种或一种以上的组合物：锶、钙、钡、镧、铈、钕、钐、铕、钆、铽、钇、镝、钪、铍、钛、锆、钒、锰、铌、铬、铁、镉、铟、钴、镍；

2)任选精炼或纯化该混合熔体；

3)使硅结晶并分离出来；

2.精制硅的方法，包含以下步骤：

1)将硅和除杂剂制成混合熔体；

其中，所述的除杂剂为选自分别包含以下元素的一组单质或化合物中的至少一种或一种以上的组合物：钡、锶、钙、钐、铕、镁、铍；

2)精炼或纯化该混合熔体，获得硅和熔剂的混合物；

3)任选凝固结晶所述的硅和除杂剂的混合物；

4)蒸馏除去所述的硅和除杂剂的混合物中的残余除杂剂成分，获得提纯的硅。

3.根据权利要求1的方法，其特征是，步骤2)的精炼或纯化处理，为选自以下一组精炼和纯化处理中的任意一种或一种以上的联合处理：高温精炼、真空精炼、精炼剂精炼、通气精炼、过滤、超声处理、电磁场处理、静置处理、离心处理、直流电场处理。

4.根据权利要求1的方法，其特征是，步骤3)从混合熔体中使硅结晶的方法，为选自以下一组方法中的任意一种：冷却凝固析出、定向凝固、直拉晶体生长、铸造晶体生长。

5.根据权利要求2的方法，其特征是，步骤2)的精炼或纯化处理，为选自以下一组精炼和纯化处理中的任意一种或一种以上的联合处理：真空精炼、精炼剂精炼、通气精炼、过滤、超声处理、电磁场处理、静置处理、离心处理、直流电场处理。

6.根据权利要求2的方法，其特征是，步骤4)的蒸馏处理，为真空蒸馏处理。

7.根据权利要求6的方法，其特征是，真空蒸馏温度低于纯硅熔点。

8.除去硅中的硼杂质的方法，包含步骤：

1)将硅和除杂剂制成混合熔体，其中，所述的除杂剂为选自分别包含以下元素的一组单质或化合物中的至少一种或一种以上的组合物：钾、钡、锶、钙、钠、镧、铈、钕、钐、铕、钆、铽、钇、镁、镝、钪、铍、铝、钛、锆、钒、锰、铌、锌、铬、铁、镉、铟、钴、镍；

2)任选精炼或纯化该混合熔体；

3)从混合熔体中使硅结晶并分离出来；

4)任选除去获得的硅晶体中残余的熔剂成分。

9.除去硅中的硼杂质的方法，包含步骤：

1)将硅、熔剂和除杂剂制成混合熔体，其中，所述的除杂剂为选自分别包含以下元素的一组单质或化合物中的至少一种或一种以上的组合物：锶、钙、钡、镧、铈、钕、钐、铕、钆、铽、钇、镝、钪、铍、钛、锆、钒、锰、铌、铬、铁、镉、铟、钴、镍；

2)精炼或纯化该混合熔体，获得硅和熔剂的混合物；

3)任选冷却凝固所述的硅和熔剂的混合物；

4)蒸馏除去所述的硅和熔剂的混合物中的熔剂成分，获得提纯的硅。

10.除去硅中的磷杂质的方法，包含步骤：

1)将硅、熔剂和除杂剂制成混合熔体，其中，所述的除杂剂为选自分别包含以下元素的一组单质或化合物中的至少一种或一种以上的组合物：锶、钙、钡、镧、铈、钕、钐、铕、钆、铽、钇、镝、钪、铍、钛、锆、钒、锰、铌、铬、铁、镉、铟、钴、镍；

2)任选精炼或纯化该混合熔体；

3)从混合熔体中使硅结晶并分离出来；

4)任选除去获得的硅晶体中残余的熔剂成分。