[发明专利]一种ONO电容结构的生长工艺有效
| 申请号： | 201010547284.8 | 申请日： | 2010-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN102097312A | 公开（公告）日： | 2011-06-15 |
| 发明（设计）人： | 肖志强;陈正才;吴晓鸫;高向东 | 申请（专利权）人： | 无锡中微晶园电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/314 | 分类号： | H01L21/314;H01L21/20;H01L29/94;H01L21/02;C30B33/10 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所 32104 | 代理人： | 曹祖良 |
| 地址： | 214028 江苏省无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种ONO电容结构的生长工艺，包括如下步骤：a、提供半导体基板；b、在半导体基板上，通过干氧氧化生长20～24nm的底层氧化层；c、在半导体基板的底层氧化层上淀积中间SiN层，所述中间SiN层的厚度为20～24nm；d、在上述中间SiN层上，通过热氧化生长270～330nm的顶层氧化层。本发明在半导体基板上通过干氧氧化的方式生长底层氧化层，能够在半导体基板上形成致密的氧化层，确保底层氧化层的质量，在底层氧化层上淀积中间SiN层，在中间SiN层上通过湿氧氧化顶层氧化层，从而在半导体基板上形成ONO电容结构；通过湿氧氧化能够快速地在中间SiN层上形成顶层氧化层，并保证ONO薄膜的质量；操作简单；扩散设备和LPCVD设备可使用通用的半导体前道设备，可控性强，工艺步骤简单。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ono 电容 结构 生长 工艺 | ||
【主权项】：
一种ONO电容结构的生长工艺，其特征是，所述ONO电容结构的生长工艺包括如下步骤：(a)、提供半导体基板；(b)、在所述半导体基板上，通过干氧氧化生长20～24nm的底层氧化层；(c)、在上述半导体基板的底层氧化层上淀积中间SiN层，所述中间SiN层的厚度为20～24nm；(d)、在上述中间SiN层上，通过热氧化生长270～330nm的顶层氧化层，从而在半导体基板上形成ONO电容结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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