[发明专利]一种ONO电容结构的生长工艺

权利要求书

1.一种ONO电容结构的生长工艺，其特征是，所述ONO电容结构的生长工艺包括如下步骤：

(a)、提供半导体基板；

(b)、在所述半导体基板上，通过干氧氧化生长20～24nm的底层氧化层；

(c)、在上述半导体基板的底层氧化层上淀积中间SiN层，所述中间SiN层的厚度为20～24nm；

(d)、在上述中间SiN层上，通过热氧化生长270～330nm的顶层氧化层，从而在半导体基板上形成ONO电容结构。

2.根据权利要求1所述的ONO电容结构的生长工艺，其特征是：所述半导体基板的材料包括硅。

3.根据权利要求1所述的ONO电容结构的生长工艺，其特征是：在所述步骤(a)中，包括对半导体基板的清洗工艺，所述清洗工艺包括如下步骤：

(a1)、将半导体基板放置在95～120℃的酸混合溶液中进行酸洗，所述酸混合溶液由H₂SO₄溶液和H₂O₂溶液组成；所述H₂SO₄溶液与H₂O₂间的体积关系为H₂SO₄∶H₂O₂＝3～4∶1；半导体基板在所述酸混合溶液中清洗5～10分钟；所述H₂SO₄溶液的浓度96％～98％，所述H₂O₂溶液的浓度为30％～32％；

(a2)、将上述酸洗后的半导体基板用去离子水循环冲洗5～8次；

(a3)、将用去离子水循环冲洗后的半导体基板干燥。

4.根据权利要求1所述的ONO电容结构的生长工艺，其特征是：所述步骤(b)中，在半导体基板上生长底层氧化层时，所述干氧氧化的温度为895～905℃，干氧氧化的时间为70～90分钟。

5.根据权利要求4所述的ONO电容结构的生长工艺，其特征是：在半导体基板初始干氧氧化的5～15分钟内，在高纯氧化中加入2～4％体积份的含氯气体。

6.根据权利要求1所述的ONO电容结构的生长工艺，其特征是：所述步骤(c)中，中间SiN层通过LPCVD方式淀积在底层氧化层上；中间SiN层的淀积温度为700～800℃。

7.根据权利要求1所述的ONO电容结构的生长工艺，其特征是：所述步骤(d)中，所述顶层氧化层通过湿氧氧化的方式生长在中间SiN层上。

8.根据权利要求1或7所述的ONO电容结构的生长工艺，其特征是：所述步骤(d)中，所述顶层氧化层的氧化生长温度为915～925℃，氧化时间为100～140分钟。

9.根据权利要求1所述的ONO电容结构的生长工艺，其特征是：所述底层氧化层与顶层氧化层均为SiO₂层。

10.根据权利要求1所述的ONO电容结构的生长工艺，其特征是：所述步骤(c)中，中间SiN层的折射率为1.98～2.02。