[发明专利]半导体存储装置无效
| 申请号： | 201010543252.0 | 申请日： | 2002-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN102136294A | 公开（公告）日： | 2011-07-27 |
| 发明（设计）人： | 中村宽;今宫贤一;山村俊雄;细野浩司;河合矿一 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/26 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 付建军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体存储装置，在NAND单元型EEPROM中，在数据写入动作中并行执行写入数据输入动作，使得整个数据写入顺序所需时间缩短。其中，具有在动作结束后在将该动作的成功/失败结果保持于芯片内的第1动作及第2动作，在第1动作和第2动作连续进行时，具有在第1和第2动作结束后把第1动作和第2动作这两者的成功/失败结果输出的动作。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体存储装置，其特征在于包括：与数据输入输出线相连接、临时保持数据的多个数据高速缓存电路；以及与上述数据高速缓存电路相连接、检测从存储器单元读出的数据并闩锁的同时，将应该写入存储器单元的数据进行闩锁的多个检测闩锁电路，其中，上述多个数据高速缓存电路与上述数据输入输出线并联连接，并且，上述多个数据高速缓存电路具有同时保持至少一页的数据量的功能，并且上述多个检测闩锁电路具有同时保持至少一页的数据量的功能。
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