[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，其特征在于包括：

与数据输入输出线相连接、临时保持数据的多个数据高速缓存电路；以及

与上述数据高速缓存电路相连接、检测从存储器单元读出的数据并闩锁的同时，将应该写入存储器单元的数据进行闩锁的多个检测闩锁电路，

其中，上述多个数据高速缓存电路与上述数据输入输出线并联连接，并且，

上述多个数据高速缓存电路具有同时保持至少一页的数据量的功能，并且上述多个检测闩锁电路具有同时保持至少一页的数据量的功能。

2.如权利要求1的半导体存储装置，其特征在于具备：

作为上述多个数据高速缓存电路中的一个的第1数据高速缓存电路；和

作为上述多个检测闩锁电路中的一个的第1检测闩锁电路，

其中，与上述第1检测闩锁电路连接的数据高速缓存电路仅仅是上述多个数据高速缓存电路中的上述第1数据高速缓存电路，上述第1检测闩锁电路与上述多个数据高速缓存电路中的上述第1数据高速缓存电路以外的其它数据高速缓存电路不连接。

3.如权利要求1的半导体存储装置，其特征在于具备：

作为上述多个数据高速缓存电路中的一个的第1数据高速缓存电路；和

作为上述多个检测闩锁电路中的一个的第1检测闩锁电路，

其中，和上述第1检测闩锁电路之间进行数据传送的数据高速缓存电路仅仅是上述多个数据高速缓存电路中的上述第1数据高速缓存电路，上述第1检测闩锁电路和上述多个数据高速缓存电路中的上述第1数据高速缓存电路以外的其它数据高速缓存电路之间不进行数据传送。