[发明专利]半导体处理中用于K恢复及表面清洁的紫外线及还原处理有效
| 申请号： | 201010539625.7 | 申请日： | 2010-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN102074500A | 公开（公告）日： | 2011-05-25 |
| 发明（设计）人： | 巴德里·瓦拉达拉詹;乔治·A·安东内利;巴尔特·范施拉文迪杰克 | 申请（专利权）人： | 诺发系统有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 沈锦华 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本申请案涉及半导体处理中用于K恢复及表面清洁的UV及还原处理。借助UV辐射及还原剂处理含碳低k电介质实现工艺诱发损坏修复。此外，借助还原剂及UV辐射的处理对于通过从具有或不具有低k电介质的经处理晶片的经平面化表面移除金属氧化物(例如，氧化铜)及/或CMP浆液的有机残留物来清洁经处理晶片表面是有效的。本发明的方法尤其适用于镶嵌处理的背景中以恢复在处理(金属化前、平面化后或两者)期间损坏的电介质的损失的低k性质，及/或提供有效的平面化后的表面清洁以改进随后施加的电介质势垒层及/或其它层的粘附。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 处理 用于 恢复 表面 清洁 紫外线 还原 | ||
【主权项】：
一种形成半导体装置的方法，其包括：在处理室中接收包括其中形成有特征的含碳低k电介质层的半导体装置衬底，所述特征具有若干侧壁及一底部；将所述特征暴露于还原剂及UV辐射；借此修复所述特征中的工艺诱发低k电介质损坏。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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