[发明专利]靶材及其使用于硬碟的记录层材料无效
| 申请号： | 201010537842.2 | 申请日： | 2010-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN102467915A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 刘文灿;林守贤 | 申请（专利权）人： | 光洋应用材料科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G11B5/667 | 分类号： | G11B5/667 |
| 代理公司： | 北京万慧达知识产权代理有限公司 11111 | 代理人： | 葛强;张一军 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是提供一种靶材及其使用于硬碟的记录层材料，该靶材是以CoPt或CoCrPt或CoCrPtB为主的材料中再添加氧化物组合物所形成，以该靶材在溅镀过程中，制作一高记录容量的硬碟记录层材料，该硬碟记录层材料的主要氧化物是二氧化硅(SiO2)，其含量为4至8原子百分比，且氧化物组合物中至少包含0.8至5原子百分比的氧化铬(Cr2O3)为其主要的技术特征；当中以Cr2O3作为氧的补偿者，在溅镀薄膜过程中，补足所缺失的氧原子；藉由此多氧化物所组合成的靶材及其使用于硬碟的记录层材料，广泛应用于硬碟磁性记录媒体的记录层，可往上提升并提高整体储存媒体的记录容量。 | ||
| 搜索关键词： | 及其 使用 硬碟 记录 材料 | ||
【主权项】：
一种靶材，其特征在于，该靶材是以CoPt、CoCrPt或CoCrPtB为主的材料中再添加氧化物组合物所形成；其中该氧化物组合物包含原子百分比为4％至8％的SiO2；以及原子百分比为0.8％至5％的Cr2O3。
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