[发明专利]靶材及其使用于硬碟的记录层材料无效
| 申请号: | 201010537842.2 | 申请日: | 2010-11-10 |
| 公开(公告)号: | CN102467915A | 公开(公告)日: | 2012-05-23 |
| 发明(设计)人: | 刘文灿;林守贤 | 申请(专利权)人: | 光洋应用材料科技股份有限公司 |
| 主分类号: | G11B5/667 | 分类号: | G11B5/667 |
| 代理公司: | 北京万慧达知识产权代理有限公司 11111 | 代理人: | 葛强;张一军 |
| 地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 及其 使用 硬碟 记录 材料 | ||
1.一种靶材,其特征在于,该靶材是以CoPt、CoCrPt或CoCrPtB为主的材料中再添加氧化物组合物所形成;其中该氧化物组合物包含原子百分比为4%至8%的SiO2;以及原子百分比为0.8%至5%的Cr2O3。
2.如权利要求1所述的靶材,其特征在于,该氧化物组合物进一步包含选自于由下列所构成的群组至少之一者:TiO2、Ta2O5、Nb2O5、ZrO2、Y2O3、HfO2及其等的组合。
3.如权利要求1所述的靶材,其特征在于,该氧化物组合物进一步包含选自于由下列所构成的群组的物质:Cu、CuO及其等的组合。
4.一种硬碟记录层材料,其特征在于,该硬碟记录层材料是使用一种如权利要求1至3中任一项所述的靶材所溅镀而成。
5.如权利要求4所述的硬碟记录层材料,其特征在于,该硬碟记录层材料是由以CoPt、CoCrPt或CoCrPtB为主要材料添加氧化物组合物所形成,其中该氧化物组成物包含以整体材料为基准4至8原子百分比的SiO2;以及0.8至5原子百分比的Cr2O3。
6.如权利要求5所述的硬碟记录层材料,其特征在于,该氧化物组合物进一步包含选自于由下列所构成的群组至少之一者:TiO2、Ta2O5、Nb2O5、ZrO2、Y2O3、HfO2及其等的组合。
7.如权利要求5或6所述的硬碟记录层材料,其特征在于,该氧化物组合物进一步包含选自于由下列所构成的群组的物质:Cu、CuO及其等的组合。
8.如权利要求5或6所述之硬碟记录层材料,其特征在于,该氧化物组合物占整体体积的比率为25至31体积百分比。
9.如权利要求7所述的硬碟记录层材料,其特征在于,该氧化物组合物占整体体积的比率为25至31体积百分比。
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