[发明专利]激光照射装置、激光照射方法及晶质半导体膜的制作方法无效

专利信息
申请号: 201010536540.3 申请日: 2004-12-24
公开(公告)号: CN102069297A 公开(公告)日: 2011-05-25
发明(设计)人: 田中幸一郎 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: B23K26/00 分类号: B23K26/00;B23K26/06;H01L21/20;G02F1/37;G02B27/00
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 叶晓勇;卢江
地址: 日本神奈*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明的目的是提供一种使用包括电反射镜和fθ透镜的光学系统的精简的激光照射装置以及激光照射方法,所述激光照射装置可以抑制由因衬底背面的次级射束引起的干涉影响,从而能够对被照射物进行均匀的激光退火,且可以提高生产量。在本发明中,当假设形成有被照射物的衬底的厚度为d,折射率为n,并将真空中的光速定义为c时,所述激光束的脉宽t满足不等式ct<2nd。在上述结构中,即使使用包括电反射镜和fθ透镜的光学系统,也可以减少因衬底背面的次级射束引起的干涉影响,从而可以对被照射物执行均匀的激光退火。
搜索关键词: 激光 照射 装置 方法 半导体 制作方法
【主权项】:
一种激光照射装置,包括:激光振荡器,发射具有7ps或更短脉宽的激光束;至少一个反射镜,用于沿一个方向偏转所述激光束;以及透镜,用于使被所述反射镜偏转的激光束在预定平面上形成图像。
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