[发明专利]一种Ce3+掺杂硅酸镥(Lu2SiO5)多晶闪烁光学陶瓷的制备方法有效
| 申请号： | 201010536133.2 | 申请日： | 2010-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN101993240A | 公开（公告）日： | 2011-03-30 |
| 发明（设计）人： | 施鹰;林挺;邓莲芸;任玉英;谢建军 | 申请（专利权）人： | 上海大学 |
| 主分类号： | C04B35/16 | 分类号： | C04B35/16;C04B35/622 |
| 代理公司： | 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 | 代理人： | 顾勇华 |
| 地址： | 200444*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及采用一种放电等离子烧结技术(Sparkplasmasintering)实现Ce3+掺杂硅酸镥(Lu2SiO5)多晶闪烁光学陶瓷快速制备的方法，属稀土掺杂多晶闪烁陶瓷制备技术领域。本发明的特点是：以氯化镥(LuCl3)和正硅酸乙酯（Si(C2H5O)4）为起始原料，经适当的Sol-gel过程反应得到Ce:Lu2SiO5前驱沉淀物，随后在900-1300℃空气氛下进行煅烧合成，并在该温度下保温1~10小时，最终得到一次颗粒80~100纳米的单相Ce:Lu2SiO5发光粉体。采用放电等离子烧结(SparkPlasmaSintering)技术致密化方法，在较低的烧结温度(1350~1450℃下)快速完成致密化过程，保温时间为3~15分钟，得Ce:Lu2SiO5多晶陶瓷，再经1000℃空气气氛下（2~15小时）退火后，得到相对密度99.50％的半透明光学陶瓷，陶瓷的发光性能优良。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ce sup 掺杂 硅酸 lu sub sio 多晶 闪烁 光学 陶瓷 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种Ce3+掺杂硅酸镥多晶闪烁光学陶瓷。其特征在于具有以下的化学分子式： (Lu1‑xCex)2SiO5，其中，x为掺杂稀土Ce离子的摩尔含量，x=0.001~0.05。
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