[发明专利]一种Ce3+掺杂硅酸镥(Lu2SiO5)多晶闪烁光学陶瓷的制备方法有效
申请号: | 201010536133.2 | 申请日: | 2010-11-09 |
公开(公告)号: | CN101993240A | 公开(公告)日: | 2011-03-30 |
发明(设计)人: | 施鹰;林挺;邓莲芸;任玉英;谢建军 | 申请(专利权)人: | 上海大学 |
主分类号: | C04B35/16 | 分类号: | C04B35/16;C04B35/622 |
代理公司: | 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 | 代理人: | 顾勇华 |
地址: | 200444*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 ce sup 掺杂 硅酸 lu sub sio 多晶 闪烁 光学 陶瓷 制备 方法 | ||
1.一种Ce3+掺杂硅酸镥多晶闪烁光学陶瓷。其特征在于具有以下的化学分子式:
(Lu1-xCex)2SiO5,其中,x为掺杂稀土Ce离子的摩尔含量,x=0.001~0.05。
2.一种Ce3+掺杂硅酸镥多晶闪烁光学陶瓷的制备方法,其特征在于具有以下的制备过程和步骤:
a.前驱体粉体的制备:将氯化镥(LuCl3)粉料及正硅酸乙酯(Si(C2H5O)4)按摩尔比2:1溶解于适量的异丙醇((CH3O)2CHOH)中,同时将硝酸铈(Ce(NO3)3)和环氧丙烷(C3H6O)引入溶胶中,在室温下反应得到Ce:Lu2SiO5前驱体;
b.将上述前驱体沉淀物置于空气氛下50~120℃干燥5~40小时后,然后在900~1300℃温度下进行煅烧实现Ce:Lu2SiO5相的合成,保温时间1~10小时,得到单相Ce:Lu2SiO5粉体;
c.将上述合成的单相Ce:Lu2SiO5粉体置于内径为Φ10~25mm的高强石墨模具中;将模具放入放电等离子烧结炉中,烧结温度为1300℃~1450℃,保温时间为2~15min;烧结过程中逐步加压,在800~1000℃达到最终压力30~60MPa,并保持压力至保温结束;
d.对放电等离子烧结所得样品经过800~1300℃条件退火后进行双面细磨抛光,得到半透明的Ce:Lu2SiO5多晶闪烁光学陶瓷。
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