[发明专利]消除相变随机存储器下电极损伤的实现方法有效
| 申请号： | 201010534186.0 | 申请日： | 2010-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN102468431A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 任万春;宋志棠 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种消除相变随机存储器下电极损伤的实现方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上依次形成有第一绝缘层和第二绝缘层，所述第一绝缘层中形成有下电极，第二绝缘层中形成有完全暴露下电极上表面的开孔；在所述开孔中形成侧墙并进行沉积预清理工艺；在上述器件结构表面沉积金属层；快速退火后移除所述金属层。本发明在形成侧墙并进行沉积预清理工艺后采用沉积金属层并执行快速退火的方法，使金属与下电极损伤区的硅反应生成金属硅化物消除下电极损伤区，使器件导通。整个过程工艺操作简单，工艺成本低，既消除了下电极损伤，又提高了器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 消除 相变 随机 存储器 电极 损伤 实现 方法 | ||
【主权项】：
一种消除相变随机存储器下电极损伤的实现方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上依次形成有第一绝缘层和第二绝缘层，所述第一绝缘层中形成有下电极，第二绝缘层中形成有完全暴露下电极上表面的开孔；在所述开孔中形成侧墙并进行沉积预清理工艺；在上述器件结构表面沉积金属层；快速退火后移除所述金属层。
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