[发明专利]消除相变随机存储器下电极损伤的实现方法有效
| 申请号： | 201010534186.0 | 申请日： | 2010-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN102468431A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 任万春;宋志棠 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 消除 相变 随机 存储器 电极 损伤 实现 方法 | ||
1.一种消除相变随机存储器下电极损伤的实现方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底上依次形成有第一绝缘层和第二绝缘层，所述第一绝缘层中形成有下电极，第二绝缘层中形成有完全暴露下电极上表面的开孔；
在所述开孔中形成侧墙并进行沉积预清理工艺；
在上述器件结构表面沉积金属层；
快速退火后移除所述金属层。
2.根据权利要求1所述消除相变随机存储器下电极损伤的实现方法，其特征在于：所述金属层的沉积方法为物理气相沉积法。
3.根据权利要求1所述消除相变随机存储器下电极损伤的实现方法，其特征在于：所述金属层为钛层。
4.根据权利要求1所述消除相变随机存储器下电极损伤的实现方法，其特征在于：所述金属层厚度为15埃～50埃。
5.根据权利要求1所述消除相变随机存储器下电极损伤的实现方法，其特征在于：所述快速退火的温度为270摄氏度～400摄氏度。
6.根据权利要求1所述消除相变随机存储器下电极损伤的实现方法，其特征在于：所述快速退火的持续时间为30秒～120秒。
7.根据权利要求1所述消除相变随机存储器下电极损伤的实现方法，其特征在于：所述方法还包括等离子体处理移除所述金属层后暴露出的器件结构表面。
8.根据权利要求7所述消除相变随机存储器下电极损伤的实现方法，其特征在于：所述等离子体处理采用的气体是氮气或氨气。
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