[发明专利]抗还原性的多层陶瓷电容介质陶瓷材料

摘要

一种抗还原性的多层陶瓷电容介质陶瓷材料，包括主成份BamTiO3，辅助成份MnO2、Mg0、CaO、R12O3、R22O3和Re烧结助剂，其中R1选自Gd、Tb、Dy中至少一种；R2选自Y、Sm、Ho、Er、Yb中至少一种；Re烧结助剂选自B2O3、ZnO、SiO2、Al2O3、K2O、Li2O中至少一种；该介质陶瓷材料适用于生产额定电压大于100V的中高压多层陶瓷电容器，其室温介电常数可以控制在2500～3500之间，静电容量的温度特性好、材料均匀性好，并且具有产品成本低，高绝缘电阻率，绝缘电阻的加速寿命高，耐电压高，可靠性能好等特点。完全满足EIA标准X7R的性能要求。

主权项

一种抗还原性的多层陶瓷电容介质陶瓷材料，其特征是该介质陶瓷材料包括主成份BamTiO3，辅助成份MnO2、Mg0、CaO、R12O3、R22O3和Re烧结助剂，其中R1选自Gd、Tb、Dy中至少一种；R2选自Y、Sm、Ho、Er、Yb中至少一种；Re烧结助剂选自B2O3、ZnO、SiO2、Al2O3、K2O、Li2O中至少一种；所述介质陶瓷材料满足下列关系：100BamTiO3 +aMnO2+bMg0+cR12O3 +dR22O3+eRe，其中以摩尔计：0.99≤m≤1.01，0.02≤a≤1.5，0.2≤b≤2.5，0.05≤c≤1.5，0.05≤d≤1.5，0.2≤e≤3.5。