[发明专利]抗还原性的多层陶瓷电容介质陶瓷材料

权利要求书

1.一种抗还原性的多层陶瓷电容介质陶瓷材料，其特征是该介质陶瓷材料包括主成份Ba_mTiO₃，辅助成份MnO₂、Mg0、CaO、R1₂O₃、R2₂O₃和Re烧结助剂，其中R1选自Gd、Tb、Dy中至少一种；R2选自Y、Sm、Ho、Er、Yb中至少一种；Re烧结助剂选自B₂O₃、ZnO、SiO₂、Al₂O₃、K₂O、Li₂O中至少一种；

所述介质陶瓷材料满足下列关系：

100Ba_mTiO₃ +aMnO2+bMg0+cR1₂O₃ +dR2₂O₃+eRe，

其中以摩尔计：0.99≤m≤1.01，0.02≤a≤1.5，0.2≤b≤2.5，0.05≤c≤1.5，0.05≤d≤1.5，0.2≤e≤3.5。

2.根据权利要求1所述的抗还原性的多层陶瓷电容介质陶瓷材料，其特征是所述介质陶瓷材料配比为：100Ba_mTiO₃ +aMnO2+bMg0+cR1₂O₃ +dR2₂O₃+eRe，其中以摩尔计：0.99≤m≤1.01，0.08≤a≤0.3，0.7≤b≤1.5，0.7≤c≤1.2，0.5≤d≤1.2，1.0≤e≤1.6。

3.根据权利要求1所述的抗还原性的多层陶瓷电容介质陶瓷材料，其特征是所述Re烧结助剂为SiO₂和Al₂O₃的组合物。

4.根据权利要求2或3所述的抗还原性的多层陶瓷电容介质陶瓷材料，其特征是所述介质陶瓷材料还包括一种辅助成份A，该辅助成份A选自W、Mo的至少一种氧化物，其含量不超过1.0摩尔，不小于0.02摩尔。

5.根据权利要求2或3所述的抗还原性的多层陶瓷电容介质陶瓷材料，其特征是所述介质陶瓷材料还包括辅助成份B，该辅助成份B选自V、Ta和Nb的至少一种氧化物，其含量不超过1.0摩尔，不小于0.1摩尔。

6.根据权利要求5所述的抗还原性的多层陶瓷电容介质陶瓷材料，其特征是所述辅助成份B为Nb₂O₅和Ta₂O₅的组合物。

7.根据权利要求4所述的抗还原性的多层陶瓷电容介质陶瓷材料，其特征是所述介质陶瓷材料还包括辅助成份C，该辅助成份C选自CaZrO₃、BaZrO₃的至少一种化合物，其含量不超过5.0摩尔，不小于1.0摩尔。

8.根据权利要求5所述的抗还原性的多层陶瓷电容介质陶瓷材料，其特征是所述介质陶瓷材料还包括辅助成份C，该辅助成份C选自CaZrO₃、BaZrO₃的至少一种化合物，其含量不超过5.0摩尔，不小于1.0摩尔。

9.根据权利要求1所述的抗还原性的多层陶瓷电容介质陶瓷材料，其特征是所述主成份Ba_mTiO₃由草酸法生产的Ba_mTiO₃粉末提供，该Ba_mTiO₃粉末的平均粒径为0.40～0.60um。

10.权利要求1—8所述的抗还原性的多层陶瓷电容介质陶瓷材料用于制作采用贱金属Ni浆为内电极浆料的多层陶瓷电容器。