[发明专利]薄膜晶体管有效
| 申请号： | 201010529312.3 | 申请日： | 2010-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN102005483A | 公开（公告）日： | 2011-04-06 |
| 发明（设计）人： | 杜佳勋;胡克龙 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 梁挥;祁建国 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种薄膜晶体管，配置于一基板上。薄膜晶体管包括一通道层、一介电层、一源极与一漏极、一栅极以及一栅绝缘层。介电层配置于通道层上，其中通道层与介电层中具有至少二贯孔，且各贯孔贯穿通道层与介电层。源极与漏极至少分别填入贯孔，使源极与漏极位于通道层的相对两侧及通道层的相对两侧上方，且源极与漏极的杨氏系数小于通道层的杨氏系数。栅极位于通道层下方。栅绝缘层配置于栅极与通道层之间。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，配置于一基板上，其特征在于，该薄膜晶体管包括：一通道层；一介电层，配置于该通道层上，其中该通道层与该介电层中具有至少二贯孔，且各贯孔贯穿该通道层与该介电层；一源极与一漏极，至少分别填入这些贯孔，使该源极与该漏极位于该通道层的相对两侧及该通道层的相对两侧上方，且该源极与该漏极的杨氏系数小于该通道层的杨氏系数；一栅极，位于该通道层下方；以及一栅绝缘层，配置于该栅极与该通道层之间。
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