[发明专利]薄膜晶体管有效
| 申请号： | 201010529312.3 | 申请日： | 2010-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN102005483A | 公开（公告）日： | 2011-04-06 |
| 发明（设计）人： | 杜佳勋;胡克龙 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 梁挥;祁建国 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 | ||
1.一种薄膜晶体管，配置于一基板上，其特征在于，该薄膜晶体管包括：
一通道层；
一介电层，配置于该通道层上，其中该通道层与该介电层中具有至少二贯孔，且各贯孔贯穿该通道层与该介电层；
一源极与一漏极，至少分别填入这些贯孔，使该源极与该漏极位于该通道层的相对两侧及该通道层的相对两侧上方，且该源极与该漏极的杨氏系数小于该通道层的杨氏系数；
一栅极，位于该通道层下方；以及
一栅绝缘层，配置于该栅极与该通道层之间。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，更包括一欧姆接触层，该欧姆接触层形成于该贯孔的侧壁及底部上且未填满该贯孔。
3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，该欧姆接触层更位于该源极与该介电层之间以及该漏极与该介电层之间。
4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，该源极与该漏极的杨氏系数的范围介于100GPa～0.1GPa。
5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，该源极与该漏极的材料包括金属、导电高分子、铟锡氧化物以及纳米粒子墨水。
6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，该通道层的材料包括非晶硅、多晶硅、氧化物以及有机材料。
7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，该源极与该漏极中任一者包括一导电层与一导电插塞，该导电插塞填入该贯孔中，该导电层与该导电插塞电性连接且配置于该介电层上。
8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管，其特征在于，更包括一欧姆接触层，该欧姆接触层形成于该贯孔的侧壁及底部上且未填满该贯孔。
9.根据权利要求7所述的薄膜晶体管，其特征在于，该导电层与该导电插塞实质上为一体成形。
10.根据权利要求7所述的薄膜晶体管，其特征在于，该导电插塞的杨氏系数的范围介于0.1GPa～100GPa。
11.根据权利要求7所述的薄膜晶体管，其特征在于，该导电插塞的材料包括金属、导电高分子、铟锡氧化物以及纳米粒子墨水。
12.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，该源极与该漏极的热膨胀系数小于该通道层的热膨胀系数。
13.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，各该贯孔包括一沟渠或一接触窗开口。
14.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，该基板包括一可挠基板。
15.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，该栅绝缘层配置于该基板上以覆盖该栅极。
16.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，更包括一保护层，以覆盖该源极、该漏极、部分该介电层及部分该通道层。
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