[发明专利]具有片内终结结构的半导体设备和在其中执行的终结方法无效
| 申请号： | 201010526195.5 | 申请日： | 2010-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN102097124A | 公开（公告）日： | 2011-06-15 |
| 发明（设计）人： | 崔桢焕;金梁基;崔英 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/4193 | 分类号： | G11C11/4193;G11C16/06 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邵亚丽 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 示例实施例公开了减小电流消耗的具有片内终结(ODT)结构的半导体设备以及在所述半导体设备中执行的终结方法。所述半导体设备包括：校准电路，用于响应于参考电压和与外部电阻器相连的校准端的电压来生成校准代码；以及片内终结器，用于响应于校准代码和片内终结控制信号来控制数据输入/输出垫片的终结电阻。数据输入/输出垫片的终结电阻大于校准端的电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 终结 结构 半导体设备 其中 执行 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体设备，包括：校准电路，被配置为响应于参考电压和与外部电阻器相连的校准端的电压来生成校准代码；以及片内终结器，被配置为响应于所述校准代码和片内终结控制信号来控制数据输入/输出垫片的终结电阻，其中所述数据输入/输出垫片的终结电阻大于所述校准端的电阻。
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