[发明专利]枢纽器以及具备该枢纽器的电子装置无效

专利信息
申请号: 201010523403.6 申请日: 2010-10-20
公开(公告)号: CN102454688A 公开(公告)日: 2012-05-16
发明(设计)人: 吕友麒;谢育展;林舜天 申请(专利权)人: 新日兴股份有限公司
主分类号: F16C11/04 分类号: F16C11/04;C22C38/58;C22C30/02;C22C38/38
代理公司: 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 代理人: 孙皓晨
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明提供了一种合金经由金属射出成型法所制作具高强度、无磁性、耐蚀性的枢纽器,该合金的成分依重量百分比计算,包含4至32%的Mn、16至37%的Cr、0至14%的Ni、0至4.5%的Si、0.2至1%的N、0至0.2%的C、0至0.5%的S、0至0.5%的P、0至1%的Al、0至5%的Co、0至4%的Ti、0至2%的Cu、0至0.5%的V、0至5%的W、0至5%的Mo、0至1%的B、0至0.4%的O、0至2%的Nb、0至1%的Ta,以及总添加量少于5%的添加元素,该添加元素选自于Y、La、Ce、Hf及Zr至少其中之一,而合金的其余部分为Fe所构成。
搜索关键词: 枢纽 以及 具备 电子 装置
【主权项】:
一种枢纽器,其特征在于,其以一种合金经由金属射出成型法所制成,该合金的成分依重量百分比计算,包含4%至32%的Mn、16%至37%的Cr、0至14%的Ni、0至4.5%的Si、0.2%至1%的N、0至0.2%的C、0至0.5%的S、0至0.5%的P、0至1%的Al、0至5%的Co、0至4%的Ti、0至2%的Cu、0至0.5%的V、0至5%的W、0至5%的Mo、0至1%的B、0至0.4%的O、0至2%的Nb、0至1%的Ta,以及总添加量少于5%的添加元素,该添加元素选自于Y、La、Ce、Hf及Zr至少其中之一,而合金的其余部分为Fe所构成。
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