[发明专利]枢纽器以及具备该枢纽器的电子装置

权利要求书

1.一种枢纽器，其特征在于，其以一种合金经由金属射出成型法所制成，该合金的成分依重量百分比计算，包含4％至32％的Mn、16％至37％的Cr、0至14％的Ni、0至4.5％的Si、0.2％至1％的N、0至0.2％的C、0至0.5％的S、0至0.5％的P、0至1％的Al、0至5％的Co、0至4％的Ti、0至2％的Cu、0至0.5％的V、0至5％的W、0至5％的Mo、0至1％的B、0至0.4％的O、0至2％的Nb、0至1％的Ta，以及总添加量少于5％的添加元素，该添加元素选自于Y、La、Ce、Hf及Zr至少其中之一，而合金的其余部分为Fe所构成。

2.如权利要求1所述的枢纽器，其特征在于，所述合金的成分依重量百分比计算为9％的Mn、16.5％的Cr、9.5％的Ni、3％的Si、0.35％的N，及0.2％的C、0.2％的O、0.03％的S、0.02％的P、1％的Al、2％的Co、1％的Mo、0.5％的Zr，合金的其余部分为Fe所构成。

3.如权利要求1所述的枢纽器，其特征在于，所述合金的成分依重量百分比计算为10.2％的Mn、21％的Cr、1.2％的Ni、2％的Si、0.85％的N，及0.2％的C、0.1％的O、0.03％的S、0.2％的P、0.3％的Al、0.8％的Ti、0.5％的Cu、2％的W、3％的Mo、0.7％的Ta、总添加量少于1％的Y、与Zr，合金的其余部分为Fe所构成。

4.如权利要求1所述的枢纽器，其特征在于，所述合金的成分依重量百分比计算30％的Mn、25％的Cr、3％的Ni、0.9％的N、0.2％的C、2％的Ti、0.5％的Cu、4％的W、5％的Mo、0.5％的B、1％的Nb、0.6％的Ta、总添加量少于1％的Zr、Y与La，合金的其余部分为Fe所构成。

5.如权利要求1所述的枢纽器，其特征在于，所述合金的成分依重量百分比计算5％的Mn、30％的Cr、3％的Ni、1.5％的Si、0.4％的N，包含0.02％的C、0.05％的S、0.03％的P、0.5％的Al、0.5％的V、4％的W、0.8％的Nb、0.6％的Ta、总添加量少于1％的La、Ce与Hf，合金的其余部分为Fe所构成。

6.如权利要求1所述的枢纽器，其特征在于，所述合金的成分依重量百分比计算32％的Mn、16％的Cr、0.7％的N，包含0.01％的C、4％的Mo、0.9％的Nb、1％的Ta，合金的其余部分为Fe所构成。

7.一种枢纽器，其使用如权利要求1至6中任一项中所述的合金，经金属射出成型法所一体成型制成，其特征在于，包含有：

一支架，呈长形体；

两摆臂，其呈长形体且分别成型位于所述支架的纵长向两端，并具有一上枢设端及一下枢设端，于该上枢设端贯穿形成有一上枢孔，而该下枢设端处贯穿形成有一下枢孔，两摆臂之间的上枢孔及下枢孔的轴心且分别呈相互平行。

8.如权利要求7所述的枢纽器，其特征在于，所述摆臂下枢设端处突设有一定位部。

9.如权利要求7或8所述的枢纽器，其特征在于，所述支架上凹设有至少一容置空间。

10.一种电子装置，其特征在于，其包含有：

一枢纽器，使用如权利要求1至6中任一项中所述的合金，经金属射出成型法所一体成型制成，其具有：

一支架，呈长形体；

两摆臂，其呈长形体且分别成型位于所述支架的纵长向两端，并具有一上枢设端及一下枢设端，于该上枢设端贯穿形成有一上枢孔，而下枢设端处贯穿形成有一下枢孔，两摆臂之间的上枢孔及下枢孔的轴心且分别呈相互平行；

一底座，其上凹设有用以容置所述支架及两摆臂下枢设端的一支架容室以及两下容室，该些上、下容室内且分别设有配合摆臂上、下枢孔的枢轴；

一荧幕，其上凹设有用以容置所述两摆臂上枢设端的两上容室，该些上、下容室内且分别设有枢轴配合穿设于摆臂的上、下枢孔。

11.如权利要求10所述的电子装置，其特征在于：

所述底座的下容室内设有一止挡件与所述枢轴呈间隔；

所述枢纽器的摆臂下枢设端处突设有一定位部，当摆臂相对所述底座枢转时，该定位部可与所述止挡件相抵，或呈远离该止挡件。