[发明专利]金属贯穿式太阳电池的制造方法有效
| 申请号: | 201010522996.4 | 申请日: | 2010-10-20 |
| 公开(公告)号: | CN102456767A | 公开(公告)日: | 2012-05-16 |
| 发明(设计)人: | 陈松裕;杜政勋;陈秉群;黄兆平;蓝崇文 | 申请(专利权)人: | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 祁建国;鲍俊萍 |
| 地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | 本发明公开一种金属贯穿式太阳电池的制造方法,包括先提供硅基板,再表面结构化这个硅基板。然后,进行n型掺质扩散工艺,以至少于硅基板的正面与背面形成一n型扩散层。之后,在硅基板的正面形成一抗反射层,再将背面的n型扩散层移除。然后,在硅基板的背面与正面分别形成第一与第二金属胶层,再进行一共烧结工艺,使第一与第二金属胶层成为第一与第二电极。然后,在第一与第二电极以外的区域形成贯穿硅基板的贯穿孔。最后,在硅基板中的各贯穿孔内形成一通孔电极,其中形成通孔电极的温度需低于600℃。本发明在制作电极时采用二次烧结的方式,避免因制作通孔电极时的温度过高而使电极与基板的硅发生反应,而能防止电极与基板的短路。 | ||
| 搜索关键词: | 金属 贯穿 太阳电池 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种金属贯穿式太阳电池的制造方法,其特征在于,包括:提供一硅基板,具有一正面及一背面;在该硅基板中形成数个贯穿孔,该些贯穿孔贯穿该正面与该背面;表面结构化该硅基板;对该硅基板进行n型掺质扩散工艺,以至少于该硅基板的该正面与该背面形成一n型扩散层;于该硅基板的该正面形成一抗反射层;移除位于该硅基板的该背面的该n型扩散层;在该硅基板的该背面与该正面分别形成一第一金属胶层与一第二金属胶层;进行一共烧结工艺,以使该第二金属胶层穿过该抗反射层与该n型扩散层接触,并使该第一金属胶层与该第二金属胶层成为一第一电极与一第二电极;以及在该硅基板中的各该贯穿孔内形成一通孔电极,其中形成该通孔电极的温度低于600℃。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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