[发明专利]金属贯穿式太阳电池的制造方法

权利要求书

1.一种金属贯穿式太阳电池的制造方法，其特征在于，包括：

提供一硅基板，具有一正面及一背面；

在该硅基板中形成数个贯穿孔，该些贯穿孔贯穿该正面与该背面；

表面结构化该硅基板；

对该硅基板进行n型掺质扩散工艺，以至少于该硅基板的该正面与该背面形成一n型扩散层；

于该硅基板的该正面形成一抗反射层；

移除位于该硅基板的该背面的该n型扩散层；

在该硅基板的该背面与该正面分别形成一第一金属胶层与一第二金属胶层；

进行一共烧结工艺，以使该第二金属胶层穿过该抗反射层与该n型扩散层接触，并使该第一金属胶层与该第二金属胶层成为一第一电极与一第二电极；以及

在该硅基板中的各该贯穿孔内形成一通孔电极，其中形成该通孔电极的温度低于600℃。

2.一种金属贯穿式太阳电池的制造方法，其特征在于，包括：

提供一硅基板，具有一正面及一背面；

表面结构化该硅基板；

对该硅基板进行n型掺质扩散工艺，以至少于该硅基板的该正面与该背面形成一n型扩散层；

于该硅基板的该正面形成一抗反射层；

移除位于该硅基板的该背面的该n型扩散层；

在该硅基板的该背面与该正面分别形成一第一金属胶层与一第二金属胶层；

进行一共烧结工艺，以使该第二金属胶层穿过该抗反射层而与该n型扩散层接触，并使该第一金属胶层与该第二金属胶层成为一第一电极与一第二电极；

在该第一电极与该第二电极以外的区域形成贯穿该硅基板的数个贯穿孔；以及

在该硅基板中的各该贯穿孔内形成一通孔电极，其中形成该通孔电极的温度低于600℃。

3.根据权利要求1或2所述的金属贯穿式太阳电池的制造方法，其特征在于，移除位于该硅基板的该背面的该n型扩散层的方法包括研磨该硅基板的该背面，以形成一平面。

4.一种金属贯穿式太阳电池的制造方法，其特征在于，包括：

提供一硅基板，具有一正面及一背面；

表面结构化该硅基板；

于该硅基板的该背面形成一阻障层；

对该硅基板进行n型掺质扩散工艺，以于该硅基板的该正面形成一n型扩散层；

移除该阻障层；

于该硅基板的该正面形成一抗反射层；

在该硅基板的该背面与该正面分别形成一第一金属胶层与一第二金属胶层；

进行一共烧结工艺，以使该第二金属胶层穿过该抗反射层而与该n型扩散层接触，并使该第一金属胶层与该第二金属胶层成为一第一电极与一第二电极；

在该第一电极与该第二电极以外的区域形成贯穿该硅基板的数个贯穿孔；以及

在该硅基板中的各该贯穿孔内形成一通孔电极，其中形成该通孔电极的温度低于600℃。

5.一种金属贯穿式太阳电池的制造方法，其特征在于，包括：

提供一硅基板，具有一正面及一背面；

在该硅基板中形成数个贯穿孔，该些贯穿孔贯穿该正面与该背面；

表面结构化该硅基板；

于该硅基板的该背面形成一阻障层；

对该硅基板进行n型掺质扩散工艺，以于该硅基板的该正面形成一n型扩散层；

移除该阻障层；

于该硅基板的该正面形成一抗反射层；

在该硅基板的该背面与该正面分别形成一第一金属胶层与一第二金属胶层；

进行一共烧结工艺，以使该第二金属胶层穿过该抗反射层而与该n型扩散层接触，并使该第一金属胶层与该第二金属胶层成为一第一电极与一第二电极；以及

在该硅基板中的各该贯穿孔内形成一通孔电极，其中形成该通孔电极的温度低于600℃。

6.根据权利要求4或5所述的金属贯穿式太阳电池的制造方法，其特征在于，该阻障层包括氮化硅层。

7.根据权利要求6所述的金属贯穿式太阳电池的制造方法，其特征在于，移除该阻障层的方法包括使用氢氟酸去除。