[发明专利]一种晶体硅太阳能电池的选择性扩散工艺无效
| 申请号： | 201010516839.2 | 申请日： | 2010-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN101997060A | 公开（公告）日： | 2011-03-30 |
| 发明（设计）人： | 程亮;刘鹏;姜言森;李玉花;徐振华;张春燕;任现坤;王兆光;杨青天 | 申请（专利权）人： | 山东力诺太阳能电力股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 济南舜源专利事务所有限公司 37205 | 代理人： | 宋玉霞 |
| 地址： | 山东省济南市经十东路3076*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于晶硅太阳能电池的制作领域，具体涉及一种晶体硅太阳能电池的选择性扩散工艺。该发明采用在印刷区域镭射掺杂的方法，实现选择性发射极太阳能电池的制备，其工序包括，高方阻扩散，印刷区域镭射掺杂，磷硅玻璃去除，在进行激光镭射前不需要喷涂或旋涂任何磷源，能降低选择性发射极晶体硅太阳能电池制作的成本。与其他选择性扩散工艺相比，具有工艺简单，成本低，易于工业化生产的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体 太阳能电池 选择性 扩散 工艺 | ||
【主权项】：
一种晶体硅太阳能电池的选择性扩散工艺，其特征在于，包含以下工艺步骤：高方阻扩散，印刷区域镭射掺杂，磷硅玻璃去除。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
