[发明专利]一种晶体硅太阳能电池的选择性扩散工艺

权利要求书

1.一种晶体硅太阳能电池的选择性扩散工艺，其特征在于，包含以下工艺步骤：高方阻扩散，印刷区域镭射掺杂，磷硅玻璃去除。

2.根据权利要求1所述的一种晶体硅太阳能电池的选择性扩散工艺，其特征在于，所述的高方阻扩散，阻值控制在70-90 ohm/sq。

3.根据权利要求1所述的一种晶体硅太阳能电池的选择性扩散工艺，其特征在于，所述的印刷区域镭射掺杂，采用波长为532nm或者355nm的激光在预备印刷正面电极区域镭射，镭射深度控制在50-1000nm，阻值控制在20-40 ohm/sq。