[发明专利]熔丝结构无效
| 申请号： | 201010514753.6 | 申请日： | 2010-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN102074547A | 公开（公告）日： | 2011-05-25 |
| 发明（设计）人： | 吴显扬;龚威菖 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525;G11C17/16 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 姜燕;陈晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了熔丝结构，依据一实施例，该熔丝结构包括阳极、阴极、熔断体设置于阳极与阴极之间，以及多个阴极连接器耦接至阴极，每个阴极连接器等于或大于耦接至有源元件的接触窗的最小特征尺寸的约两倍。本发明的熔丝结构更坚固耐用，能够降低在公知的单一接触窗中被隔绝的大电流，并使得熔丝结构具有更强健的电子迁移能力，使得接触窗内或上方的金属较不可能迁移至熔断体，并使得熔丝结构短路。 | ||
| 搜索关键词： | 结构 | ||
【主权项】：
一种熔丝结构，包括：一阳极；一阴极；一熔断体，介于该阳极与该阴极之间；以及多个阴极连接器耦接至该阴极，其中每个阴极连接器等于或大于一接触窗的一最小特征尺寸的两倍，该接触窗耦接至一有源元件。
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