[发明专利]熔丝结构无效

专利信息
申请号: 201010514753.6 申请日: 2010-10-18
公开(公告)号: CN102074547A 公开(公告)日: 2011-05-25
发明(设计)人: 吴显扬;龚威菖 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L23/525 分类号: H01L23/525;G11C17/16
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 代理人: 姜燕;陈晨
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 结构
【权利要求书】:

1.一种熔丝结构,包括:

一阳极;

一阴极;

一熔断体,介于该阳极与该阴极之间;以及

多个阴极连接器耦接至该阴极,其中每个阴极连接器等于或大于一接触窗的一最小特征尺寸的两倍,该接触窗耦接至一有源元件。

2.如权利要求1所述的熔丝结构,其中每个阴极连接器介于该接触窗的该最小特征尺寸的两倍至四倍之间,该接触窗耦接至该有源元件。

3.如权利要求1所述的熔丝结构,还包括多个阳极连接器耦接至该阳极,其中每个阳极极连接器等于或大于该接触窗的该最小特征尺寸的一倍,该接触窗耦接至该有源元件。

4.如权利要求3所述的熔丝结构,其中每个阳极连接器介于该接触窗的该最小特征尺寸的一倍至两倍之间,该接触窗耦接至该有源元件。

5.如权利要求1所述的熔丝结构,其中该熔断体的宽度等于或大于一栅极电极或一金属线宽度的一最小特征尺寸的一倍。

6.如权利要求5所述的熔丝结构,其中该熔断体的该宽度介于该栅极电极或该金属线宽度的该最小特征尺寸的一倍至两倍之间。

7.如权利要求1所述的熔丝结构,其中该熔断体包括一第一长轴,沿着该熔断体的一上表面的一第一边缘,以及一第二长轴,沿着该熔断体的该上表面的一第二边缘,其中该第一长轴与该第二长轴定义出该阴极的上表面的一贯穿区域,该贯穿区域为该阴极对齐该熔断体的一区域,且其中在该贯穿区域内无连接器耦接该阴极。

8.如权利要求7所述的熔丝结构,其中所述多个阴极连接器包括一对互相对应的连接器,该对连接器被该贯穿区域平分为二,使得该对连接器中的每个连接器与该贯穿区域之间的距离相等。

9.如权利要求1所述的熔丝结构,其中耦接至该阴极的所述多个阴极连接器包括一连接器阵列耦接至该阴极。

10.一种熔丝结构,包括:

一阴极;

一熔断体;

一阳极,其中该熔断体耦接在该阴极与该阳极之间;

一电介质,设置在该阴极之上;

多个开口,设置在该阴极之上的该电介质内,所述多个开口暴露出该阴极的一部分,且平行于该阴极的一上表面的每个开口的一剖面面积大于一最小特征尺寸的两倍;

多个金属连接器,设置在所述多个开口内;以及

一扩散阻挡物设置在所述多个开口内,介于该电介质与所述多个金属连接器之间。

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