[发明专利]一种降低外延自掺杂效应的方法无效
| 申请号： | 201010514538.6 | 申请日： | 2010-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN102453958A | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | 缪燕 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/14 | 分类号： | C30B25/14;C30B25/16;H01L21/02;H01L21/205 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王函 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种降低外延自掺杂效应的方法，外延生长为两步生长，包含如下步骤：1)在硅衬底上进行第一步外延生长，该生长过程中通入一定量的含碳气体；2)进行第二步外延生长。由于第一步在外延层中掺入一定量的碳，碳(C)原子对硼(B)原子或磷(P)原子有很好的扩散抑制效果，可以有效降低外延工艺过程中此类掺杂原子的外扩散，从而有效降低了外延过程中硼原子或磷原子的自掺杂效应。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 外延 掺杂 效应 方法 | ||
【主权项】：
一种降低外延自掺杂效应的方法，其特征在于，外延生长为两步生长，包含如下步骤：1)在硅衬底上进行第一步外延生长，该生长过程中通入一定量的含碳气体；2)进行第二步外延生长。
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