[发明专利]一种降低外延自掺杂效应的方法

权利要求书

1.一种降低外延自掺杂效应的方法，其特征在于，外延生长为两步生长，包含如下步骤：

1)在硅衬底上进行第一步外延生长，该生长过程中通入一定量的含碳气体；

2)进行第二步外延生长。

2.如权利要求1所述的降低外延自掺杂效应的方法，其特征在于，在步骤1)的第一步外延生长之前，还包括如下步骤：A.硅片进行湿法预清洗；B.硅片进入外延腔体进行烘烤，去除硅片表面自然氧化层。

3.如权利要求2所述的降低外延自掺杂效应的方法，其特征在于，在步骤A中，所述硅片进行湿法预清洗采用最后氢氟酸处理进行预清洗。

4.如权利要求2所述的降低外延自掺杂效应的方法，其特征在于，在步骤B中，所述烘烤气氛为氢气，氢气流量为5～45slm，烘烤温度为800-1150℃，烘烤时间为30-300秒。

5.如权利要求4所述的降低外延自掺杂效应的方法，其特征在于，在步骤B中，所述烘烤温度为800-1000℃。

6.如权利要求1所述的降低外延自掺杂效应的方法，其特征在于，在步骤1)中，所述第一步外延生长形成的第一外延层中含有0.01％～0.5％的碳，碳的掺入使得硅片中或埋层的硼原子或磷原子外扩散得到减弱，降低硼或磷的自掺杂效应。

7.如权利要求1或6所述的降低外延自掺杂效应的方法，其特征在于，在步骤1)中，所述第一步外延生长中的含碳气体包含乙烯、甲基硅烷、甲烷和乙炔，所述含碳气体的流量为20～200sccm；所述第一步外延生长中的硅源气体为硅烷、二氯二氢硅、三氯氢硅或四氯化硅，所述硅源气体的流量为20sccm～2slm。

8.如权利要求1或6或7所述的降低外延自掺杂效应的方法，其特征在于，在步骤1)中，所述第一步外延生长形成的第一外延层的厚度为500～10000埃，该厚度小于外延总厚度的15％。

9.如权利要求1所述的降低外延自掺杂效应的方法，其特征在于，在步骤1)中，所述第一步外延生长的温度为800～1150℃。

10.如权利要求1所述的降低外延自掺杂效应的方法，其特征在于，在步骤2)中，所述第二步外延生长为主外延生长，其与第一步外延生长在同一机台生长，中间过程不要接触到氧气。

11.如权利要求1或10所述的降低外延自掺杂效应的方法，其特征在于，在步骤2)中，所述第二步外延生长的硅源气体为硅烷、二氯二氢硅、三氯氢硅或四氯化硅，所述硅源气体的流量为20sccm～2slm；所述第二步外延生长的温度为800～1150℃。