[发明专利]适用于批处理式离子注入机的陪片循环再生方法无效
| 申请号： | 201010514473.5 | 申请日： | 2010-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN102456543A | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | 郑刚;陈立鸣;施向东 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 刘昌荣 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种适用于批处理式离子注入机的陪片循环再生方法，包括步骤：1)在陪片表面成长一层氧化膜；2)陪片使用达到预定频度后，用酸液清洗掉陪片表面的氧化膜；3)重复步骤1)至2)。该陪片循环再生方法可以降低半导体材料的生产成本。陪片表面成膜后，在使用时，注入的杂质离子就仅停留在薄膜里面，从而避免了陪片晶格受到注入损伤，而陪片表面的氧化膜可以在多次使用后去除，并重新生成，从而实现了陪片循环使用的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 适用于 批处理 离子 注入 循环 再生 方法 | ||
【主权项】：
一种适用于批处理式离子注入机的陪片循环再生方法，其特征在于，包括下列步骤：1)在陪片表面成长一层氧化膜，用以阻挡离子注入陪片晶格；2)陪片使用达到预定频度后，用酸液清洗掉所述氧化膜；3)重复步骤1)至2)。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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