[发明专利]适用于批处理式离子注入机的陪片循环再生方法无效
| 申请号： | 201010514473.5 | 申请日： | 2010-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN102456543A | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | 郑刚;陈立鸣;施向东 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 刘昌荣 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 适用于 批处理 离子 注入 循环 再生 方法 | ||
1.一种适用于批处理式离子注入机的陪片循环再生方法，其特征在于，包括下列步骤：
1)在陪片表面成长一层氧化膜，用以阻挡离子注入陪片晶格；
2)陪片使用达到预定频度后，用酸液清洗掉所述氧化膜；
3)重复步骤1)至2)。
2.如权利要求1所述的陪片循环再生方法，其特征在于：所述氧化膜采用PECVD工艺生成。
3.如权利要求1所述的陪片循环再生方法，其特征在于：所述氧化膜的厚度不小于掺杂离子在该氧化膜中的穿透深度。
4.如权利要求2或3所述的陪片循环再生方法，其特征在于：所述氧化膜的厚度为1微米。
5.如权利要求1所述的陪片循环再生方法，其特征在于：所述步骤1)之前，还包括以下步骤：对陪片使用SPM和APM溶液进行预清洗，去除陪片表面的颗粒。
6.如权利要求1所述的陪片循环再生方法，其特征在于：所述步骤2)之前，还包括以下步骤：对经过步骤1)处理后的陪片进行快速热退火处理。
7.如权利要求6所述的陪片循环再生方法，其特征在于：所述热退火处理所使用的温度不低于1000摄氏度。
8.如权利要求1所述的陪片循环再生方法，其特征在于：所述酸液的配比是：HF∶NH4F＝4％∶20％(体积比)，剩下的76％为含有活性剂的水。
9.如权利要求1所述的陪片循环再生方法，其特征在于：所述步骤2)中，在用酸液清洗前，先用SPM和APM溶液对陪片进行预清洗。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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