[发明专利]一种控制离子均匀注入的二维扫描方法有效
申请号: | 201010514120.5 | 申请日: | 2010-10-13 |
公开(公告)号: | CN102446688A | 公开(公告)日: | 2012-05-09 |
发明(设计)人: | 伍三忠;李慧;唐景庭;孙勇 | 申请(专利权)人: | 北京中科信电子装备有限公司 |
主分类号: | H01J37/317 | 分类号: | H01J37/317;H01L21/265 |
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地址: | 101111 北京市中关村科*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种控制离子均匀注入的二维扫描方法,属于半导体制造领域。离子均匀性注入的二维扫描系统包括:剂量控制器、运动控制器、移动法拉第、扫描板、计算机(实时系统)、直线电机,离子均匀注入的二维扫描方法方法包括水平方向的静电扫描和垂直方向的机械扫描,通过计算机(实时系统)对运动控制器和剂量控制器的协调控制以及移动法拉第对束流的检测,实现运动控制器控制直线电机进行的垂直方向的均匀机械扫描和剂量控制器控制扫描板进行的水平方向的均匀电扫描能够同步运行,从而达到离子均匀注入的二维扫描控制,使得均匀性达到误差范围。本发明能够实现离子注入剂量的精确检测和剂量的均匀性控制。 | ||
搜索关键词: | 一种 控制 离子 均匀 注入 二维 扫描 方法 | ||
【主权项】:
一种控制离子均匀注入的二维扫描方法,包括水平方向的静电扫描和垂直方向的机械扫描,所述的静电扫描控制离子束进行水平方向的均匀扫描,扫描电压波形(8)通过移动法拉第(3)检测离子束流在水平方向的分布并计算修正获得;所述的垂直方向的机械扫描,由运动控制器(2)控制直线电机(5)带动需注入的硅片进行穿越离子束的垂直方向的匀速扫描,并在运动的过程中向剂量控制器(1)发送扫描同步信号(7)。
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