[发明专利]新型大倾角单片式注入离子注入机离子光学系统

摘要

本发明公开了一种新型大倾角单片式注入离子注入机离子光学系统，涉及离子注入机，属于半导体制造领域。所述的离子源，产生需要的各种离子；所述的源过滤磁铁，初次进行离子偏转筛选；所述的加速管，束能量加速或减速到所需注入的能量；所述的质量分析器，实现离子筛选功能；所述的分析光栏，为可调分析缝，使所需要的离子通过，对离子具有提纯作用；所述的偏转扫描系统，将束扩张水平带状束；所述的平行束透镜，使离子束校正为平行束；所述的大倾角单片靶盘，单片装载晶片，注入角度0°-60°可调。本发明可实现大倾角离子注入机的光学系统的要求，具有离子纯度高、离子能量精确度高、注入角度精确高、传输效率高等优点。

主权项

新型大倾角单片式注入离子注入机离子光学系统，其特征在于：一个离子源、一个源过滤磁铁、一个加速管、一个质量分析器、一个分析光栏、一个偏转扫描系统、一个平行束透镜、一个大倾角单片靶盘；所述的离子源产生离子并能够将离子引出形成离子束，引出的离子束由源过滤磁铁对其做预分析处理，然后进过加速管加速和聚焦，再由质量分析器和分析光栏配合使用对其做精确分析，然后通过偏转扫描系统将束斑扫描成扇形状束带，接着由平行束透镜对其做角度校准，形成平行的带状束，最后在大倾角单片靶盘处实现对晶片的离子注入。