[发明专利]新型大倾角单片式注入离子注入机离子光学系统无效

专利信息
申请号: 201010514043.3 申请日: 2010-10-13
公开(公告)号: CN102446679A 公开(公告)日: 2012-05-09
发明(设计)人: 戴习毛;唐景庭;伍三忠;孙勇;刘世勇 申请(专利权)人: 北京中科信电子装备有限公司
主分类号: H01J37/05 分类号: H01J37/05;H01J37/317
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地址: 101111 北京市中关村科*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 新型 倾角 单片 注入 离子 光学系统
【权利要求书】:

1.新型大倾角单片式注入离子注入机离子光学系统,其特征在于:一个离子源、一个源过滤磁铁、一个加速管、一个质量分析器、一个分析光栏、一个偏转扫描系统、一个平行束透镜、一个大倾角单片靶盘;所述的离子源产生离子并能够将离子引出形成离子束,引出的离子束由源过滤磁铁对其做预分析处理,然后进过加速管加速和聚焦,再由质量分析器和分析光栏配合使用对其做精确分析,然后通过偏转扫描系统将束斑扫描成扇形状束带,接着由平行束透镜对其做角度校准,形成平行的带状束,最后在大倾角单片靶盘处实现对晶片的离子注入。

2.如权利要求1所述的新型大倾角单片式注入离子注入机离子光学系统,其特征在于:所述的采用多级磁偏转筛选系统提纯所需注入离子的纯度,保证注入离子纯度,解决注入工艺超低能量污染要求;

3.如权利要求1所述的新型大倾角单片式注入离子注入机离子光学系统,其特征在于:所述的光路采用先加速后分析方式,保证注入离子能量精度。

4.如权利要求1所述的新型大倾角单片式注入离子注入机离子光学系统,其特征在于:所述的光路中设计的平行束透镜,使水平向束成高度平行的带状束,从而靶注入角度高度一致,保证注入角度精度。

5.如权利要求1所述的新型大倾角单片式注入离子注入机离子光学系统,其特征在于:所述的整机高能、低能注入工作兼顾设计,光路匹配传输,传输效率高。

6.如权利要求1所述的新型大倾角单片式注入离子注入机离子光学系统,其特征在于:所述的靶注片方式采用单园片式注入,束注入角度0°-60°可调。

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