[发明专利]基于双应力薄膜技术的半导体器件的制作方法

摘要

本发明公开了一种基于双应力薄膜技术的半导体器件的制作方法，对NMOS管和PMOS管重叠区域中具有压应力的刻蚀停止层进行刻蚀，使得重叠区域中刻蚀后的具有压应力的刻蚀停止层的上表面低于重叠区域中具有压应力的刻蚀停止层的刻蚀前的上表面、且高于重叠区域中硬掩膜氧化层的上表面、且高于PMOS管中具有压应力的刻蚀停止层的上表面。采用本发明公开的方法能够避免金属硅化物的损伤，因此避免了半导体器件产生漏电流。

主权项

一种基于双应力薄膜技术的半导体器件的制作方法，在P型金属氧化物半导体PMOS管和N型金属氧化物半导体NMOS管的栅极表面、NMOS管和PMOS管重叠区域的栅极表面和半导体衬底表面形成金属硅化物后，在NMOS管的栅极的金属硅化物表面、栅极两侧的侧壁层表面、半导体衬底的金属硅化物表面、NMOS管和PMOS管重叠区域的靠近NMOS管的侧壁层以及NMOS管和PMOS管重叠区域中栅极的金属硅化物表面中靠近NMOS管的区域依次形成具有张应力的刻蚀停止层和硬掩膜氧化层，在PMOS管的栅极的金属硅化物表面、栅极两侧的侧壁层表面、半导体衬底的金属硅化物表面、NMOS管和PMOS管重叠区域的靠近PMOS管的侧壁层以及NMOS管和PMOS管重叠区域中栅极的金属硅化物表面中靠近PMOS管的区域形成具有压应力的刻蚀停止层；该方法还包括：对NMOS管和PMOS管重叠区域中具有压应力的刻蚀停止层进行刻蚀，重叠区域中刻蚀后的具有压应力的刻蚀停止层的上表面低于重叠区域中具有压应力的刻蚀停止层的刻蚀前的上表面、且高于重叠区域中硬掩膜氧化层的上表面、且高于PMOS管中具有压应力的刻蚀停止层的上表面；沉积介质层，并对介质层进行刻蚀形成接触孔。