[发明专利]高镁含量六方相MgZnO薄膜及其制备方法无效
| 申请号： | 201010512169.7 | 申请日： | 2010-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN102031487A | 公开（公告）日： | 2011-04-27 |
| 发明（设计）人： | 吕有明;朱德亮;曹培江;马晓翠;柳文军;贾芳;陈吉星 | 申请（专利权）人： | 深圳大学 |
| 主分类号： | C23C14/28 | 分类号： | C23C14/28;C23C14/08 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所 44268 | 代理人： | 刘文求;刘新年 |
| 地址： | 518054 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种六方相MgZnO薄膜及其制备方法，在缺氧气氛下，采用低Mg掺杂浓度的MgZnO陶瓷靶进行脉冲激光沉积，在衬底上沉积得到高Mg掺杂浓度的六方相MgZnO薄膜。其在PLD技术中利用缺氧导致的非平衡生长过程，可以有效提高Mg的固溶度，实现Mg含量的调节，为制备高Mg掺杂ZnO基多元合金薄膜提供了便捷有效的手段。 | ||
| 搜索关键词： | 含量 六方相 mgzno 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种六方相MgZnO薄膜的制备方法，其特征在于，在缺氧气氛下，采用低Mg掺杂浓度的MgZnO陶瓷靶进行脉冲激光沉积，在衬底上沉积得到高Mg掺杂浓度的六方相MgZnO薄膜。
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