[发明专利]高镁含量六方相MgZnO薄膜及其制备方法无效
| 申请号： | 201010512169.7 | 申请日： | 2010-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN102031487A | 公开（公告）日： | 2011-04-27 |
| 发明（设计）人： | 吕有明;朱德亮;曹培江;马晓翠;柳文军;贾芳;陈吉星 | 申请（专利权）人： | 深圳大学 |
| 主分类号： | C23C14/28 | 分类号： | C23C14/28;C23C14/08 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所 44268 | 代理人： | 刘文求;刘新年 |
| 地址： | 518054 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 含量 六方相 mgzno 薄膜 及其 制备 方法 | ||
1.一种六方相MgZnO薄膜的制备方法，其特征在于，在缺氧气氛下，采用低Mg掺杂浓度的MgZnO陶瓷靶进行脉冲激光沉积，在衬底上沉积得到高Mg掺杂浓度的六方相MgZnO薄膜。
2.根据权利要求1所述的六方相MgZnO薄膜的制备方法，其特征在于，所述缺氧气氛通过将工作室抽真空获得。
3.根据权利要求2所述的六方相MgZnO薄膜的制备方法，其特征在于，将工作室抽真空后进一步通入离化的高纯氧气。
4.根据权利要求2所述的六方相MgZnO薄膜的制备方法，其特征在于，所述工作室的工作压强为5.0×10-4Pa～2Pa。
5.根据权利要求2所述的六方相MgZnO薄膜的制备方法，其特征在于，所述高纯氧气的流量为0～70sccm。
6.根据权利要求2所述的六方相MgZnO薄膜的制备方法，其特征在于，所述MgZnO陶瓷靶与衬底之间的距离为50-80mm。
7.根据权利要求1所述的六方相MgZnO薄膜的制备方法，其特征在于，所述MgZnO陶瓷靶为Mg0.2Zn0.8O陶瓷靶。
8.根据权利要求1所述的六方相MgZnO薄膜的制备方法，其特征在于，沉积前所述衬底经过预热。
9.根据权利要求8所述的六方相MgZnO薄膜的制备方法，其特征在于，沉积时所述衬底温度为450～650℃。
10.根据权利要求1至9任一所述制备方法得到的六方相MgZnO薄膜，其特征在于，所述六方相MgZnO薄膜中Mg含量为44.5at％-48.5at％。
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