[发明专利]CMOS晶体管的制作方法

摘要

本发明提供CMOS晶体管的制作方法，包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上形成氮化硅层；对氮化硅层进行刻蚀工艺，在所述栅极结构两侧形成偏移间隙壁；在偏移间隙壁表面形成保护层；形成覆盖NMOS有源区的第一光刻胶层；在栅极结构两侧的半导体衬底内形成P型轻掺杂区；进行灰化工艺，去除所述第一光刻胶层；形成覆盖所述PMOS有源区的第二光刻胶层；在栅极结构两侧的半导体衬底内形成N型轻掺杂区；进行灰化工艺，去除所述第二光刻胶层；形成NMOS晶体管的侧墙、源/漏区，形成PMOS晶体管的侧墙、源/漏区。本发明避免灰化工艺对偏移间隙壁的损伤，防止器件的衰减，可以去除全部光刻胶层，防止硅损失和器件漏电流。

主权项

一种CMOS晶体管的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括NMOS有源区、PMOS有源区，所述NMOS有源区与PMOS通过半导体衬底内的隔离结构进行分隔，所述NMOS有源区与PMOS有源区的半导体衬底上形成有栅极结构，所述栅极结构两侧形成有偏移间隙壁；在所述偏移间隙壁表面形成保护层；形成覆盖所述NMOS有源区的第一光刻胶层；以所述第一光刻胶层和栅极结构为掩膜，对PMOS有源区进行轻掺杂离子注入，在栅极结构两侧的半导体衬底内形成P型轻掺杂区；进行灰化工艺，去除所述第一光刻胶层；形成覆盖所述PMOS有源区的第二光刻胶层；以所述第二光刻胶层和栅极结构为掩膜，对NMOS有源区进行离子注入，在栅极结构两侧的半导体衬底内形成N型轻掺杂区；进行灰化工艺，去除所述第二光刻胶层；在NMOS有源区和PMOS有源区的栅极结构两侧形成侧墙；在NMOS有源区的半导体衬底内形成N型源/漏区、在PMOS有源区的半导体衬底内形成P型源/漏区。