[发明专利]由感光二极管与电容性次基座所构成的混成堆迭结构

摘要

本发明关于一种由感光二极管与电容性次基座所构成的混成堆迭(hybrid stacked)结构，其包含一电容性次基座。该电容性次基座包含：一重掺杂硅基板；一凹槽，在该硅基板的上表面形成；一介电层，在该硅基板的上表面或下表面形成；一第一电极，沉积在该硅基板的下表面而与该硅基板形成一金属绝缘体半导体(MIS，metal-insulator-semiconductor)电容；以及一第二电极，沉积在该硅基板的上表面以及该凹槽的表面上。该堆迭结构还包含一感光二极管，电性(electrically)粘置在位于该凹槽底部的该第二电极上，其中该凹槽的底部尺寸与感光二极管的尺寸相匹配，而具有将感光二极管精密定位的功能。

主权项

一种由感光二极管与电容性次基座所构成的混成堆迭结构，包含：一电容性次基座，包含：一重掺杂硅基板；一凹槽，形成在该硅基板的上表面；多个沟渠，形成在该硅基板的下表面；一介电层，形成在该硅基板的下表面以及该沟渠的表面上；一第一电极，沉积在该介电层上并且覆盖该多个沟渠；及一第二电极，沉积在该硅基板的上表面以及该凹槽的表面上；一感光二极管，电性粘置在位于该凹槽底部的该第二电极上，其中，该凹槽的底部尺寸与该感光二极管的尺寸相匹配，而得以使该感光二极管被精确局限在该凹槽内。