[发明专利]由感光二极管与电容性次基座所构成的混成堆迭结构

权利要求书

1.一种由感光二极管与电容性次基座所构成的混成堆迭结构，包含：

一电容性次基座，包含：

一重掺杂硅基板；

一凹槽，形成在该硅基板的上表面；

多个沟渠，形成在该硅基板的下表面；

一介电层，形成在该硅基板的下表面以及该沟渠的表面上；

一第一电极，沉积在该介电层上并且覆盖该多个沟渠；及

一第二电极，沉积在该硅基板的上表面以及该凹槽的表面上；

一感光二极管，电性粘置在位于该凹槽底部的该第二电极上，

其中，该凹槽的底部尺寸与该感光二极管的尺寸相匹配，而得以使该感光二极管被精确局限在该凹槽内。

2.一种由感光二极管与电容性次基座所构成的混成堆迭结构，包含：

一电容性次基座，包含：

一重掺杂硅基板；

一凹槽，形成在该硅基板的上表面；

多个沟渠，形成在该硅基板的上表面并且位于该凹槽的周围；

一介电层，形成在该硅基板的上表面以及该凹槽、该沟渠的表面上；

一第一电极，沉积在该硅基板的下表面；及

一第二电极，沉积在该介电层上并且覆盖该多个沟渠；

一感光二极管，电性粘置在位于该凹槽底部的该第二电极上，

其中，该凹槽的底部尺寸与该感光二极管的尺寸相匹配，而得以使该感光二极管被精确局限在该凹槽内。

3.一种由感光二极管与电容性次基座所构成的混成堆迭结构，包含：

一电容性次基座，包含：

一重掺杂硅基板；

一凹槽，形成在该硅基板的上表面；

一介电层，形成在该硅基板的下表面；

一第一电极，沉积在该介电层上；及

一第二电极，沉积在该硅基板的上表面以及该凹槽的表面上；

一感光二极管，电性粘置在位于该凹槽底部的该第二电极上，

其中，该凹槽的底部尺寸与该感光二极管的尺寸相匹配，而得以使该感光二极管被精确局限在该凹槽内。

4.一种由感光二极管与电容性次基座所构成的混成堆迭结构，包含：

一电容性次基座，包含：

一重掺杂硅基板；

一凹槽，形成在该硅基板的上表面；

一介电层，形成在该硅基板的上表面以及该凹槽的表面上；

一第一电极，沉积在该硅基板的下表面；及

一第二电极，沉积在该介电层上；

一感光二极管，电性粘置在位于该凹槽底部的该第二电极上，

其中，该凹槽的底部尺寸与该感光二极管的尺寸相匹配，而得以使该感光二极管被精确局限在该凹槽内。

5.如权利要求1至4中任一项所述的由感光二极管与电容性次基座所构成的混成堆迭结构，其中，该重掺杂硅基板为一N型或P型重掺杂单晶硅基板。

6.如权利要求5所述的由感光二极管与电容性次基座所构成的混成堆迭结构，其中，该重掺杂单晶硅基板具有<100>晶向；而该凹槽是藉由异方蚀刻而形成有一定倾斜角度的侧壁，该凹槽的底部尺寸与该感光二极管的尺寸相匹配。

7.如权利要求1至4中任一项所述的由感光二极管与电容性次基座所构成的混成堆迭结构，其中，该重掺杂硅基板为一N型或P型重掺杂多晶硅基板。

8.如权利要求6所述的由感光二极管与电容性次基座所构成的混成堆迭结构，其中，该凹槽是藉由深蚀刻而形成，而足以容纳一感光二极管晶粒于其中。

9.如权利要求7所述的由感光二极管与电容性次基座所构成的混成堆迭结构，其中，该凹槽是藉由深蚀刻而形成，而足以容纳一感光二极管晶粒于其中。

10.如权利要求1或3所述的由感光二极管与电容性次基座所构成的混成堆迭结构，还包含：

一绝缘层，涂布在该电容性次基座的四周侧表面，以覆盖该电容性次基座的四周侧表面所裸露的该介电层、该第一电极以及该至少一部分硅基板。

11.如权利要求1至4中任一项所述的由感光二极管与电容性次基座所构成的混成堆迭结构，还包含：

一浸入式透镜，设置在该堆迭结构的上部，以使该感光二极管被包覆于该透镜中，并且用以增进入射光的对准性及增加接收的光通量，其中，该浸入式透镜是由任一透明聚合物所制成。