[发明专利]ⅢA族氮化物半导体晶体的制造方法和ⅢA族氮化物半导体衬底的制造方法无效
| 申请号： | 201010508646.2 | 申请日： | 2010-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN102127815A | 公开（公告）日： | 2011-07-20 |
| 发明（设计）人： | 大岛佑一 | 申请（专利权）人： | 日立电线株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B25/20 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 钟晶 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种IIIA族氮化物半导体晶体的制造方法和IIIA族氮化物半导体衬底的制造方法。所述IIIA族氮化物半导体晶体的制造方包括：制备晶种的步骤；以及生长所述IIIA族氮化物半导体晶体的凸面生长步骤，其中所述IIIA族氮化物半导体晶体的生长面仅由多个不垂直于生长方向的表面构成，并且由所述多个表面构成的所述生长面作为整体形成为凸面形状。所述IIIA族氮化物半导体衬底的制造方法是通过切割由所述凸面生长步骤获得的IIIA族氮化物半导体晶体来制备IIIA族氮化物半导体衬底。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 晶体 制造 方法 衬底 | ||
【主权项】：
一种IIIA族氮化物半导体晶体的制造方法，其包括：制备晶种的步骤；以及生长所述IIIA族氮化物半导体晶体的凸面生长步骤，其中所述IIIA族氮化物半导体晶体的生长面仅由多个不垂直于生长方向的表面构成，并且由所述多个表面构成的所述生长面作为整体形成为凸面形状。
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