[发明专利]边缘电场型液晶显示器阵列基板及其制作方法有效
申请号: | 201010507114.7 | 申请日: | 2010-10-14 |
公开(公告)号: | CN102315165A | 公开(公告)日: | 2012-01-11 |
发明(设计)人: | 戴孟杰;王明宗;柳智忠;李得俊 | 申请(专利权)人: | 深超光电(深圳)有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L27/12;G02F1/1362;G02F1/1333 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 何青瓦;李庆波 |
地址: | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种边缘电场型液晶显示器阵列基板及其制作方法。边缘电场型液晶显示器阵列基板的栅极、栅极线和共同电极位于基板上同一层,且在同一光蚀刻制程中被图案化。 | ||
搜索关键词: | 边缘 电场 液晶显示器 阵列 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
一种制作边缘电场型液晶显示器阵列基板的方法,包括如下步骤:提供一基板;通过第一光蚀刻制程形成多数栅极线,多数栅极和一共同电极于该基板之上,该第一光蚀刻制程包含:形成一第一导电层于该基板上,再形成一图案化光阻于该第一导电层之上;去除未被该光罩阻遮盖的导电层部分形成栅极线和栅极于该基板之上;形成一第一透明导体层覆盖整个基板和图案化光阻;去除该图案化光阻以及覆盖在该图案化光阻的第一透明导体层以形成共通电极;形成一栅极绝缘层覆盖该基板,该栅极线,栅极以及该共通电极;形成一半导体层于该栅极绝缘层之上,并采用第二光蚀刻制程图案化;形成多数数据线,多数源极和多数汲极于该栅极绝缘层和半导体层,并通过第三光蚀刻制程图案化;形成一钝化层于该栅极绝缘层、数据线、源极和汲极之上,并通过第四光蚀刻制程图案化,使得该钝化层上包含多数第一接触孔,该第一接触孔至少部分曝漏该每一汲极;形成多数画素电极于钝化层上,通过第五光蚀刻制程图案化,其中每一画素电极透过该接触孔电性连接该对应的汲极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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