[发明专利]边缘电场型液晶显示器阵列基板及其制作方法

权利要求书

1.一种制作边缘电场型液晶显示器阵列基板的方法，包括如下步骤：

提供一基板；

通过第一光蚀刻制程形成多数栅极线，多数栅极和一共同电极于该基板之上，该第一光蚀刻制程包含：

形成一第一导电层于该基板上，再形成一图案化光阻于该第一导电层之上；

去除未被该光罩阻遮盖的导电层部分形成栅极线和栅极于该基板之上；

形成一第一透明导体层覆盖整个基板和图案化光阻；

去除该图案化光阻以及覆盖在该图案化光阻的第一透明导体层以形成共通电极；

形成一栅极绝缘层覆盖该基板，该栅极线，栅极以及该共通电极；

形成一半导体层于该栅极绝缘层之上，并采用第二光蚀刻制程图案化；

形成多数数据线，多数源极和多数汲极于该栅极绝缘层和半导体层，并通过第三光蚀刻制程图案化；

形成一钝化层于该栅极绝缘层、数据线、源极和汲极之上，并通过第四光蚀刻制程图案化，使得该钝化层上包含多数第一接触孔，该第一接触孔至少部分曝漏该每一汲极；

形成多数画素电极于钝化层上，通过第五光蚀刻制程图案化，其中每一画素电极透过该接触孔电性连接该对应的汲极。

2.如权利要求1所述之边缘电场液晶显示器阵列基板制作方法，其中该第一导体层在第一光蚀刻制程中被过蚀刻以至于每一栅极线的宽度小于覆盖在栅极线上的每一图案化光阻的宽度。

3.如权利要求1所述之边缘电场液晶显示器阵列基板制作方法，其中每一画素电极包含多数平行布置的条状电极且该些条状电极电性连接在一起，多数狭缝间隔分布于该条状电极之间。

4.如权利要求1所述之边缘电场液晶显示器阵列基板制作方法，其中每一个栅极线包含一个栅极连接垫底层电极，每一数据线包含一个数据线连接垫底层电极，该钝化层更包含多数第二接触孔，多数第三接触孔和多数第四接触孔，每一第二接触孔部分曝露对应的栅极连接垫底层电极，每一第三接触孔部分曝露对应的数据线连接垫底层电极，每一第四接触孔部分曝露共通电极。

5.如权利要求4所述之边缘电场液晶显示器阵列基板制作方法，更包含通过第五光蚀刻制程形成多数栅极连接垫顶层电极，其中每一栅极连接垫顶层电极电性连接对应的栅极连接垫底层电极，其中每一数据线连接垫顶层电极通过第三接触孔电性连接对应的数据线连接垫底层电极.

6.如权利要求1所述之边缘电场液晶显示器阵列基板制作方法，更包含通过第一光蚀刻制程形成的共通电极线。

7.如权利要求6所述之边缘电场液晶显示器阵列基板制作方法，其中钝化层和栅极绝缘层更包含第五接触孔，每一第五接触孔部分曝露该共通电极线。

8.如权利要求7所述之边缘电场液晶显示器阵列基板制作方法，更包含通过第五光蚀刻制程形成的连接线，其中该连接线通过第四接触孔电性连接共通电极，通过第五接触孔电性连接共通电极线。

9.如权利要求1所述之边缘电场液晶显示器阵列基板制作方法，其中一宽度范围从0.2微米到2微米的间隔位于栅极线和共通电极之间，一宽度范围从0.2微米到2微米的间隔位于栅极和共通电极之间。

10.一种边缘电场型液晶显示器阵列基板，其包含：

一基板；

一栅极线位于该基板之上；

一数据线位于该基板之上；

一薄膜晶体管位于该基板上，其中该薄膜晶体管包含：

一栅极电性连接该栅极线；

一栅极绝缘层位于栅极之上；

一半导体层位于栅极绝缘层上；

一源极和一汲极位于半导体层之上，其中该源极电性连接该数据线；

一共通电极位于基板和栅极绝缘层之间，其中该共通电极、该栅极和该栅极线三者共平面；

一钝化层位于该栅极绝缘层上，其中该钝化层含有一第一接触孔，该第一接触孔至少部分曝露该汲极；

一画素电极位于钝化层之上，其中画素电极通过第一接触孔电性连接汲极。

11.如权利要求10所述之边缘电场液晶显示器阵列基板，其中画素电极包含多数条电性相连平行排布的条状电极，多数狭缝间隔分布于该条状电极之间。