[发明专利]半导体装置

摘要

本发明是一种半导体装置。此半导体包括一基板、一VDMOS、一JFET、一第一电极、一第二电极、一第三电极、以及一第四电极。VDMOS被形成于基板上。JFET被形成于基板上。其中，第一电极、第二电极、以及第三电极连接至VDMOS，并且分别被用来当成VDMOS的一第一栅极电极、一第一漏极电极、以及一第一源极电极。第二电极、第三电极、以及第四电极连接至JFET，并且分别被用来当成VDMOS的一第二漏极电极、一第二栅极电极、以及一第二源极电极。

主权项

一种半导体装置，包括：一基板；一第一阱区、一第二阱区、以及一第三阱区，该第一阱区、该第二阱区、以及该第三阱区位于该基板的一上侧，并且彼此相互分开，该第一阱区位于该第二阱区以及该第三阱区之间；一第一掺杂区、一第二掺杂区、一第三掺杂区、以及一第四掺杂区，该第一掺杂区形成于该基板中并且位于该第一阱区以及该第三阱区之间，该第二掺杂区形成于该第一阱区中，该第三掺杂区形成于该第二阱区中，该第四掺杂区形成于该基板中并且位于该基板的一下侧；一复晶硅层，形成于该基板之上并且位于该第二掺杂区以及该第三掺杂区之间的一间距的上方；以及一第一电极、一第二电极、一第三电极、以及一第四电极，该第一电极电性连接至该复晶硅层，该第二电极电性连接至该第四掺杂区，该第三电极电性连接至该第三阱区、该第二掺杂区、以及该第三掺杂区，以及该第四电极电性连接至该第一掺杂区；其中，该基板、该第一掺杂区、该第二掺杂区、该第三掺杂区、以及该第四掺杂区的掺杂型态是相同，并且和该第一阱区、该第二阱区、以及该第三阱区的掺杂型态互补。