[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

一基板；

一第一阱区、一第二阱区、以及一第三阱区，该第一阱区、该第二阱区、以及该第三阱区位于该基板的一上侧，并且彼此相互分开，该第一阱区位于该第二阱区以及该第三阱区之间；

一第一掺杂区、一第二掺杂区、一第三掺杂区、以及一第四掺杂区，该第一掺杂区形成于该基板中并且位于该第一阱区以及该第三阱区之间，该第二掺杂区形成于该第一阱区中，该第三掺杂区形成于该第二阱区中，该第四掺杂区形成于该基板中并且位于该基板的一下侧；

一复晶硅层，形成于该基板之上并且位于该第二掺杂区以及该第三掺杂区之间的一间距的上方；以及

一第一电极、一第二电极、一第三电极、以及一第四电极，该第一电极电性连接至该复晶硅层，该第二电极电性连接至该第四掺杂区，该第三电极电性连接至该第三阱区、该第二掺杂区、以及该第三掺杂区，以及该第四电极电性连接至该第一掺杂区；

其中，该基板、该第一掺杂区、该第二掺杂区、该第三掺杂区、以及该第四掺杂区的掺杂型态是相同，并且和该第一阱区、该第二阱区、以及该第三阱区的掺杂型态互补。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包括：

一第五掺杂区、一第六掺杂区、以及一第七掺杂区，该第五掺杂区形成于该第一阱区中，该第六掺杂区形成于该第二阱区中，以及该第七掺杂区形成于该第三阱区中。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，该第五掺杂区连接至该第二掺杂区，以及该第六掺杂区连接至该第三掺杂区。

4.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，该第五掺杂区、该第六掺杂区、以及该第七掺杂区的掺杂型态是相同，并且和该第一掺杂区、该第二掺杂区、该第三掺杂区、以及该第四掺杂区的掺杂型态互补。

5.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，该第二掺杂区以及该第三掺杂区之间的距离是小于该第五掺杂区以及该第六掺杂区之间的距离。

6.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，该第三电极亦电性连接至该第五掺杂区、该第六掺杂区、以及该第七掺杂区。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该第一掺杂区是和该第一阱区以及该第三阱区相互分隔开。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该基板、该第一掺杂区、该第二掺杂区、该第三掺杂区、以及该第四掺杂区的每一掺杂型态是N型，以及该第一阱区、该第二阱区、以及该第三阱区的每一掺杂型态是P型。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该基板、该第一掺杂区、该第二掺杂区、该第三掺杂区、以及该第四掺杂区的每一掺杂型态是P型，以及该第一阱区、该第二阱区、以及该第三阱区的每一掺杂型态是N型。

10.一种半导体装置，包括：

一基板；

一垂直式扩散金属氧化物半导体VDMOS)，形成于该基板中；

一结型场效应晶体管(JFET)，形成于该基板中；以及

一第一电极、一第二电极、一第三电极、以及一第四电极；

其中，该第一电极、该第二电极、以及该第三电极连接至该VDMOS并且分别用来当作该VDMOS的一第一栅极电极、一第一漏极电极、以及一第一源极电极；以及

该第二电极、该第三电极、以及该第四电极连接至该JFET并且分别用来当作该JFET的一第二漏极电极、一第二栅极电极、以及一第二源极电极。

11.根据权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，该VDMOS包括：

该基板；

一第一阱区以及一第二阱区，位于该基板的一上侧，并且彼此相互分开；

一第二掺杂区和一第三掺杂区，该第二掺杂区形成于该第一阱区中，该第三掺杂区形成于该第二阱区中；以及

该第一电极、该第二电极、以及该第三电极。

12.根据权利要求11所述的半导体装置，其特征在于，该VDMOS还包括：

一第五掺杂区以及一第六掺杂区，该第五掺杂区形成于该第一阱区中，该第六掺杂区形成于该第二阱区中。