[发明专利]生成场效晶体管SPICE工艺角落模型的方法

摘要

本发明提出一种生成场效晶体管SPICE工艺角落模型的方法，是在SPICE模型的全局模型中设置分块工艺角落参数，来表达宽沟道区器件和短沟道窄沟道区器件工艺的变化，步骤包括：1)测量器件的电流-电压曲线，建立全局模型G；2)确定工艺角落模型的变化范围：3)根据短沟道尺寸选取参数DVT0，LVTH0、LU0、LK1、LVSAT和RDSW；4)根据窄宽度尺寸选取参数K3、WVTH0、WK1和WVSAT；5)根据短沟道尺寸及窄宽度尺寸选取参数PVTH0、PVSAT和PU0；6)将全局参数与局部参数整合在一起，建立角落模型。与现有技术相比，本发明的有益效果是，生成了优秀的工艺角落模型，能够很好的反应工艺变化，使电路设计能够更好的反应这一变化。

主权项

一种生成场效晶体管SPICE工艺角落模型的方法，其特征是在SPICE模型的全局模型中设置分块工艺角落参数，来表达宽沟道区器件和短沟道窄沟道区器件工艺角落的变化，步骤包括：1)测量器件的电流‑电压曲线，建立全局模型G；2)确定工艺角落模型的变化范围：3)根据短沟道尺寸选取参数DVT0、LVTH0、LU0、LK1、LVSAT和RDSW；4)根据窄宽度尺寸选取参数K3、WVTH0、WK1和WVSAT；5)根据短沟道尺寸及窄宽度尺寸选取参数PVTH0、PVSAT和PU0；6)将全局参数与局部参数整合在一起，建立角落模型；其中，LVTH0表示所述宽沟道区模型参数中的零偏阈值电压参数，WVTH0表示所述长沟道区模型参数中的零偏阈值电压参数，PVTH0表示所述短沟道窄沟道区模型参数中的零偏阈值电压参数；LU0表示所述宽沟道区模型参数中的载子迁移率参数，WU0表示所述长沟道区模型参数中的载子迁移率参数，PU0表示所述短沟道窄沟道区模型参数中的载子迁移率参数；LVSAT表示所述宽沟道区模型参数中的载子饱和速度参数，WVSAT表示所述长沟道区模型参数中的载子载子饱和速度参数，PVSAT表示所述短沟道窄沟道区模型参数中的载子载子饱和速度参数；LK1表示所述宽沟道区模型参数中的体效应参数，WK1表示所述长沟道区模型参数中的体效应参数，PK1表示所述短沟道窄沟道区模型参数中的体效应参数；DVT0表示短沟道区的电荷共享模型阈值电压调整参数；RDSW表示源漏端之间的单位电阻值；K3表示阈值电压的窄沟道效应补偿参数。