[发明专利]用于研磨半导体晶片的方法无效
| 申请号： | 201010502716.3 | 申请日： | 2010-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN102029573A | 公开（公告）日： | 2011-04-27 |
| 发明（设计）人： | J·施万德纳 | 申请（专利权）人： | 硅电子股份公司 |
| 主分类号： | B24B37/04 | 分类号： | B24B37/04;H01L21/304;C09K3/14 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 过晓东;谭邦会 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 用于处理半导体晶片的方法，其中至少一个研磨工具和至少一个半导体晶片的侧面被彼此进给，由此从所述至少一个半导体晶片除去材料，其中粘度最低310-3N/m2·s且最高10010-3N/m2·s的液体介质位于所述至少一个研磨工具和所述至少一个半导体晶片之间，所述至少一个研磨工具和所述至少一个半导体晶片彼此移开以结束处理操作。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 研磨 半导体 晶片 方法 | ||
【主权项】：
一种用于处理半导体晶片的方法，其中至少一个研磨工具和至少一个半导体晶片的侧面彼此进给，由此从所述至少一个半导体晶片除去材料，其中粘度最低3·10‑3N/m2.s且最高100·10‑3N/m2.s的液体介质位于所述至少一个研磨工具和所述至少一个半导体晶片之间，以及将所述至少一个研磨工具和所述至少一个半导体晶片彼此移开，以结束处理操作。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于硅电子股份公司，未经硅电子股份公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010502716.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：电梯
- 下一篇：成形用冲模、具备该成形用冲模的成形装置以及成形方法
