[发明专利]用于研磨半导体晶片的方法

权利要求书

1.一种用于处理半导体晶片的方法，其中至少一个研磨工具和至少一个半导体晶片的侧面彼此进给，由此从所述至少一个半导体晶片除去材料，其中粘度最低3·10^-3N/m².s且最高100·10^-3N/m².s的液体介质位于所述至少一个研磨工具和所述至少一个半导体晶片之间，以及将所述至少一个研磨工具和所述至少一个半导体晶片彼此移开，以结束处理操作。

2.权利要求1的方法，其中所述液体介质包括多元醇。

3.权利要求2的方法，其中所述多元醇选自以下组中：甘油、单体乙二醇、低聚乙二醇、聚乙二醇和多醇。

4.权利要求2或3的方法，其中所述多元醇的比例为0.01-10体积％。

5.权利要求1-4之一的方法，其中所述液体介质包括甘油。

6.权利要求1-5之一的方法，其中所述液体介质包括聚醚多元醇和聚乙烯醇。

7.权利要求1-6之一的方法，其中所述液体介质包括少量的表面活性剂。

8.权利要求5的方法，其中所述液体介质是甘油比例为50％-85％的甘油-水的混合物。

9.权利要求1-8之一的方法，其中所述液体介质是含甘油、丁醇和表面活性剂的水性混合物。

10.权利要求1-7之一的方法，其中所述液体介质包括二氧化硅或氧化铈颗粒形式的固体。

11.权利要求10的方法，其中二氧化硅或氧化铈的平均粒径为5-50nm。

12.权利要求10或11的方法，其中固体的比例为大于1重量％，直至最高为50重量％。

13.权利要求12的方法，其中所述固体比例为1-30重量％。

14.权利要求1-13之一的方法，其中半导体晶片通过其一个表面被稳固地固定在晶片固定器上，而其相对的表面利用晶片固定器和研磨盘的旋转及其相互压迫，通过研磨盘形式的研磨工具进行处理，其中经由研磨盘中的开口，在研磨盘与半导体晶片之间引入粘度最低3·10^-3N/m².s且最高100·10^-3N/m².s的液体介质。

15.权利要求1-13之一的方法，其中半导体晶片同时在双面进行处理，处理方式使该半导体晶片在安装于相对的共线心轴上的两个研磨工具之间自由浮动，并且晶片在该方法中得到引导，其方式使作用于正面和背面上的水垫或气垫之间在轴向基本上没有约束力，其中经由两个研磨工具中的开口，在研磨工具与半导体晶片之间引入粘度最低3·10^-3N/m².s且最高100·10^-3N/m².s的液体介质。

16.权利要求1-13之一的方法，其中多个半导体晶片同时进行处理，其中每个半导体晶片以可自由移动的方式位于多个运载装置之一的切口中，所述运载装置通过环形的外驱动环和环形的内驱动环引起旋转，并因此在摆线轨迹上移动，而半导体晶片则在两个研磨工具之间以材料去除的方式进行处理，研磨工具为旋转环形状的包括工作层的工作盘的形式，其中经由运载装置中的开口，在工作盘和半导体晶片之间引入粘度最低3·10^-3N/m².s且最高100·10^-3N/m².s的液体介质。