[发明专利]一种球面靶陶瓷中子管及制造方法无效
| 申请号： | 201010502452.1 | 申请日： | 2010-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN101965094A | 公开（公告）日： | 2011-02-02 |
| 发明（设计）人： | 乔双;严长春;景士伟;刘太辉;吴猛 | 申请（专利权）人： | 长春致方达科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H05H3/06 | 分类号： | H05H3/06 |
| 代理公司： | 吉林长春新纪元专利代理有限责任公司 22100 | 代理人： | 陈宏伟 |
| 地址： | 130117 吉林*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种球面靶陶瓷中子管及制备方法，在中子管离子源的引出端预埋磁性材料环，待中子管封接完成之后，再对磁性材料环进行充磁，中子管离子源的引出端预埋磁性材料环，中子管的引出极磁场强度达到2300Gs，使束流密度提高11.6%，解决了离子源的引出端轴向磁场不足问题；靶端形状做成球面形，使有效靶面积提高一倍，增大了靶的散热面积；该中子管的引出束流质子比得到极大改善，同时在截面积不变的情况下，增加了核反应的靶面积，增强了散热效率，大幅度降低中子管放电、击穿几率，提高中子管的产额（增加0.7倍）、寿命和稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 球面 陶瓷 中子 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种球面靶陶瓷中子管的制备方法，其特征在于：在中子管离子源的引出端预埋磁性材料环，待中子管封接完成之后，再对磁性材料环进行充磁，解决了离子源的引出端轴向磁场不足问题。
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