[发明专利]一种球面靶陶瓷中子管及制造方法无效
| 申请号： | 201010502452.1 | 申请日： | 2010-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN101965094A | 公开（公告）日： | 2011-02-02 |
| 发明（设计）人： | 乔双;严长春;景士伟;刘太辉;吴猛 | 申请（专利权）人： | 长春致方达科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H05H3/06 | 分类号： | H05H3/06 |
| 代理公司： | 吉林长春新纪元专利代理有限责任公司 22100 | 代理人： | 陈宏伟 |
| 地址： | 130117 吉林*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 球面 陶瓷 中子 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种球面靶陶瓷中子管的制备方法，其特征在于：在中子管离子源的引出端预埋磁性材料环，待中子管封接完成之后，再对磁性材料环进行充磁，解决了离子源的引出端轴向磁场不足问题。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：在中子管的靶端形状做成球面形，该球面与引出的圆锥状离子束垂直，增加反应面积和散热面积。
3.实现权利要求1所述方法的中子管，由上封罩（3）、陶瓷壳（8）、下封罩（9）构成封闭的本体，靶（10）固定在下封罩（9）内侧封装在陶瓷壳（8）的底部；电极架（1）上设有高压电极（12）和储存器电极（11）通过上封罩（3）固定在陶瓷壳（8）的上端口，陶瓷壳（8）内设有加速筒（7）；阳极筒（4）设在离子源罩（5）和电极架（1）之间，并与高压电极（12）连接；储存器（2）设在电极架（1）的框架内与储存器电极（11）连接；离子源罩（5）设在陶瓷壳（8）上端口内，其特征在于：磁性材料环（6）外包可阀片安装在离子源罩（5）中，并与离子源罩（5）中心孔同轴。
4.根据权利要求3所述的中子管，其特征在于：磁性材料环（6）为钕铁硼永磁材料制成。
5.根据权利要求3所述的中子管，其特征在于：靶（10）端形状做成球面形，其球面中心与加速筒（7）的中心孔同轴。
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